品牌：VBsemi
型號(hào)：NTMSD2P102LR2G-VB
封裝：SOP8
絲印：VBA4338
詳細(xì)參數(shù)說明：
- 通道類型：2個(gè)P溝道MOSFET
- 額定工作電壓：-30V
- 最大連續(xù)漏極電流：-7A
- 漏極-源極導(dǎo)通電阻：35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓：-1.5V
應(yīng)用簡介：
NTMSD2P102LR2G-VB是一款高性能的雙P溝道MOSFET，適用于各種功率電路的開關(guān)控制和功率調(diào)節(jié)。具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻、高額定工作電壓和大連續(xù)漏極電流的特點(diǎn)，適用于要求高效能和高可靠性的電源管理和功率放大應(yīng)用。
舉例說明：
1. 電源管理模塊：適用于各種開關(guān)電源、DC-DC變換器和逆變器等電源管理模塊中，用于控制和調(diào)節(jié)電流，提高電源效率。
2. 通信設(shè)備：可用于手機(jī)充電控制、無線路由器和網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等通信設(shè)備中，提高設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。
3. 汽車電子模塊：適用于汽車電子模塊中的驅(qū)動(dòng)控制、車載充電樁和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。
