NTMS5838NLR2G-VB一款N—Channel溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

VBsemi NTMS5838NLR2G-VB MOSFET:
- 絲印: VBA1410
- 溝道類型: N-Channel
- 額定電壓: 40V
- 額定電流: 10A
- 靜態(tài)電阻: RDS(ON) = 14mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 1.6V
- 封裝: SOP8

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
NTMS5838NLR2G-VB MOSFET是一款N溝道場效應(yīng)晶體管，工作電壓為40V，最大電流為10A。其靜態(tài)電阻在VGS為10V和VGS為20V時(shí)為14mΩ，確保高效率的電流傳輸。閾值電壓為1.6V，適用于多種電源和開關(guān)控制應(yīng)用。

**應(yīng)用簡介:**
這款MOSFET適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊:
1. **LED照明:** 在LED驅(qū)動(dòng)電路中，可提供高效的電源開關(guān)。
2. **電池管理系統(tǒng):** 用于電池充放電控制，確保高效能和可靠性。
3. **電源開關(guān):** 由于其高性能特性，適合用于各種電源開關(guān)設(shè)計(jì)。

VBsemi NTMS5838NLR2G-VB MOSFET可廣泛用于需要高性能N溝道MOSFET的電子設(shè)備和系統(tǒng)。