NTMD6N04R2G-VB一款2個(gè)N—Channel溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

產(chǎn)品型號(hào): NTMD6N04R2G-VB
品牌: VBsemi
絲印: VBA3638
參數(shù):
- 溝道類型: 2個(gè)N-Channel
- 額定電壓: 60V
- 額定電流: 6A
- 導(dǎo)通電阻: RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- 門閾電壓: Vth=1.5V
封裝: SOP8

詳細(xì)參數(shù)說明：
NTMD6N04R2G-VB是一款N-Channel溝道MOSFET，具有兩個(gè)溝道。其額定工作電壓為60V，最大額定電流為6A。在VGS=10V和VGS=20V時(shí)，其導(dǎo)通電阻為27mΩ。門閾電壓為1.5V。該產(chǎn)品封裝為SOP8，方便安裝和使用。

應(yīng)用簡介：
NTMD6N04R2G-VB適用于各種電子電路模塊和設(shè)備中。由于其N-Channel溝道特性，適用于負(fù)載開關(guān)、電源管理、電池保護(hù)等領(lǐng)域。例如，可用于電源逆變器、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池充放電管理模塊等。在這些應(yīng)用中，NTMD6N04R2G-VB可作為開關(guān)管，用于控制電流流動(dòng)，并保護(hù)電路元件免受過載和短路等問題的損壞。