型號(hào): MVGSF1N03LT1G-VB
絲印: VB1240
品牌: VBsemi
參數(shù):
- 封裝: SOT23
- 類型: N-溝道MOSFET
- 額定電壓(V): 20
- 最大電流(A): 6
- 開態(tài)電阻(RDS(ON)): 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 閾值電壓(Vth): 0.45~1V
封裝: SOT23
詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡(jiǎn)介:
MVGSF1N03LT1G-VB是一款N-溝道MOSFET，采用SOT23封裝。具有20V的額定電壓，最大電流為6A，開態(tài)電阻(RDS(ON))為24mΩ，閾值電壓(Vth)在0.45~1V范圍內(nèi)。
應(yīng)用領(lǐng)域:
該產(chǎn)品適用于需要在低電壓和高電流條件下工作的電子設(shè)備。常見應(yīng)用領(lǐng)域包括電源模塊、電源管理、電流控制等。
模塊應(yīng)用:
1. **電源模塊**: 可用于設(shè)計(jì)緊湊型、高效率的電源模塊。
2. **電源管理**: 適用于電源管理電路，提供高效的電源控制。
3. **電流控制模塊**: 在需要可靠的電流控制的場(chǎng)景下發(fā)揮作用。
注意: 在使用前，請(qǐng)仔細(xì)閱讀產(chǎn)品手冊(cè)和規(guī)格書，確保產(chǎn)品符合具體應(yīng)用的要求。
