MI2312-VB一款N—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

MI2312-VB是VBsemi生產(chǎn)的SOT23封裝的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡(jiǎn)介：

- 參數(shù)：
 - 額定電壓：20V
 - 額定電流：6A
 - RDS(ON)：24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
 - 閾值電壓：0.45~1V

- 應(yīng)用簡(jiǎn)介：
 - 適用于需要N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電路和模塊。
 - 可用于電源管理、功率放大和開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用。

- 領(lǐng)域和模塊應(yīng)用：
 - 電源管理模塊
 - 電流控制模塊
 - 開(kāi)關(guān)電源模塊
 - 電流放大器模塊

該器件適用于需要高性能N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電子設(shè)備，特別是在電源管理和功率控制領(lǐng)域。