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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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J557-T1B-A-VB一款P—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): J557-T1B-A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào): J557-T1B-A-VB

絲印: VB2355

品牌: VBsemi

參數(shù):
- 封裝: SOT23
- 溝道類(lèi)型: P-Channel
- 額定溝道電壓(VDS): -30V
- 額定溝道電流(ID): -5.6A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 門(mén)源極閾值電壓(Vth): -1V

封裝: SOT23

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
1. **溝道類(lèi)型:** P-Channel 溝道類(lèi)型表示這是一款 P-Channel MOSFET,適用于需要 P-Channel 特性的電路設(shè)計(jì)。

2. **額定溝道電壓:** -30V 表示這款 MOSFET 的額定工作電壓為 -30V,適用于相應(yīng)的電源電壓范圍。

3. **額定溝道電流:** -5.6A 表示這款 MOSFET 的最大額定工作電流為 -5.6A,適用于負(fù)載電流需求較高的電路。

4. **靜態(tài)漏極-源極電阻:** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V 表示在不同的門(mén)源電壓下,靜態(tài)時(shí)的漏極-源極電阻。這對(duì)于評(píng)估導(dǎo)通狀態(tài)下的導(dǎo)通損耗很重要。

5. **門(mén)源極閾值電壓:** -1V 表示在理想條件下,當(dāng)門(mén)源電壓達(dá)到 -1V 時(shí),MOSFET 開(kāi)始導(dǎo)通。

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
這款 MOSFET 通常應(yīng)用于需要 P-Channel 溝道的電路中,其中可能包括功率開(kāi)關(guān)、電源管理、放大器等。由于其負(fù)載電流較大的特性,可以在需要承載較大電流的電源和電路中使用。

**領(lǐng)域和模塊應(yīng)用:**
1. **電源管理模塊:** 由于其較大的負(fù)載電流和適中的工作電壓范圍,適用于電源管理模塊中的功率開(kāi)關(guān)電路。

2. **功率放大模塊:** 用于音頻功率放大器等模塊,通過(guò)控制 MOSFET 的導(dǎo)通狀態(tài)來(lái)調(diào)節(jié)功率。

3. **電源逆變器:** 在電源逆變器中,用于控制開(kāi)關(guān)電路,實(shí)現(xiàn)從直流到交流的能量轉(zhuǎn)換。

請(qǐng)注意,具體的應(yīng)用和模塊設(shè)計(jì)需要根據(jù)具體的電路需求和規(guī)格進(jìn)行進(jìn)一步確認(rèn)。

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