--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**VBsemi J461A-T1B-AT-VB MOSFET**
**詳細參數(shù)說明:**
- 品牌: VBsemi
- 產(chǎn)品型號: J461A-T1B-AT-VB
- 封裝: SOT23
- 極性: P—Channel
- 最大漏極電壓(VDS): -60V
- 最大漏極電流(ID): -0.5A
- 導通電阻(RDS(ON)): 3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): -1.87V
**應(yīng)用簡介:**
J461A-T1B-AT-VB是一款P—Channel類型的MOSFET,廣泛適用于多種電路設(shè)計和應(yīng)用場景。其低漏極電阻和適中漏極電流使其在不同領(lǐng)域中發(fā)揮出色。
**適用領(lǐng)域和模塊示例:**
1. **電源開關(guān)模塊:** 由于J461A-T1B-AT-VB的P—Channel溝道特性,可用于電源開關(guān)控制,提高電源模塊的效率和可靠性。
2. **放大器前端:** 在音頻放大器等放大電路中,J461A-T1B-AT-VB可作為關(guān)斷開關(guān),幫助實現(xiàn)對信號的精確控制。
3. **電流源:** 適用于需要P—Channel MOSFET的電流控制電路,例如電流源電路。
4. **逆變器和開關(guān)電源:** 可用于逆變器和開關(guān)電源中,協(xié)助實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和管理。
請根據(jù)具體電路設(shè)計需求和參數(shù)匹配,選擇合適的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊。
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