G3J14-VB一款P—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào)：G3J14-VB
絲?。篤B2355
品牌：VBsemi
封裝：SOT23

參數(shù)：
- 溝道類型：P—Channel
- 最大漏極電壓：-30V
- 最大漏極電流：-5.6A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻：RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓：Vth = -1V

應(yīng)用簡介：
G3J14-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel溝道類型SOT23封裝場效應(yīng)晶體管，具有卓越的性能和穩(wěn)定性。以下是其詳細(xì)參數(shù)說明和典型應(yīng)用場景：

詳細(xì)參數(shù)說明：
- 溝道類型：P—Channel，適用于負(fù)載開關(guān)和電源管理。
- 最大漏極電壓：-30V，確保在一定電壓范圍內(nèi)可靠工作。
- 最大漏極電流：-5.6A，適用于中等功率的電源管理需求。
- 靜態(tài)漏極-源極電阻：RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，低導(dǎo)通電阻確保高效的能量轉(zhuǎn)換。
- 閾值電壓：Vth = -1V，確保在適當(dāng)?shù)碾妷簵l件下工作。

應(yīng)用領(lǐng)域：
1. 電源逆變器：適用于太陽能逆變器、電動(dòng)車充電器等。
2. 電源開關(guān)：作為負(fù)載開關(guān)，在電源管理電路中控制電流流動(dòng)。
3. 電源管理模塊：在需要高效、可靠電源管理的場合，如便攜式電子設(shè)備、通信設(shè)備等。

G3J14-VB的卓越性能使其成為各種電源管理模塊的理想選擇，為不同領(lǐng)域的電子設(shè)備提供高性能的電源解決方案。