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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSC024N025S G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSC024N025S G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BSC024N025S G-VB** 是一款單通道 N 型 MOSFET,采用 DFN8(5x6) 封裝,設(shè)計(jì)用于高電流和低電壓應(yīng)用。其具備極低的 RDS(ON)(1.8mΩ @ VGS=10V),可以有效減少功耗和熱量。該器件最大漏極電流為 160A,適合處理高負(fù)載電流。其閾值電壓為 1.7V,柵極-源極耐壓為 ±20V,確保了在復(fù)雜工作環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BSC024N025S G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單通道 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術(shù)**: 溝道工藝 (Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**BSC024N025S G-VB** 適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理系統(tǒng)**:其低 RDS(ON) 和高電流能力使其非常適合用于高效電源管理模塊和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,減少能量損失。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:能夠處理高電流,在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中提供穩(wěn)定的開關(guān)控制,適用于電動(dòng)工具和工業(yè)應(yīng)用。
3. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中處理高電流負(fù)載,例如電動(dòng)窗戶和座椅調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
4. **充電系統(tǒng)**:用于電池充電器中,提供高效的開關(guān)控制,優(yōu)化充電過程并延長(zhǎng)電池壽命。
5. **數(shù)據(jù)中心**:在數(shù)據(jù)中心電源模塊中實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和管理,滿足高性能計(jì)算的需求。

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