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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSC030N03LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSC030N03LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
BSC030N03LS G-VB 是一款采用 DFN8 (5x6) 封裝的單通道 N 溝道 MOSFET,設(shè)計用于低電壓、高電流應(yīng)用。該 MOSFET 的漏極-源極耐壓為 30V,柵極-源極耐壓為 ±20V,柵極閾值電壓為 1.7V。它在 4.5V 的柵極驅(qū)動電壓下具有 9mΩ 的導(dǎo)通電阻,在 10V 的柵極驅(qū)動電壓下為 7mΩ。最大漏極電流可達(dá) 80A,采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)制造,適用于高效率的電源管理和電流開關(guān)應(yīng)用。

### 參數(shù)說明
- **型號**: BSC030N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單通道 N 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 80A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域
BSC030N03LS G-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理**: 在高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中提供高效的電流傳輸和開關(guān)控制。
- **計算機(jī)和服務(wù)器**: 用于電源模塊中,優(yōu)化電源分配,適應(yīng)高負(fù)載需求。
- **電動汽車**: 作為動力系統(tǒng)中的開關(guān)元件,處理電池和電機(jī)之間的功率流動。
- **工業(yè)設(shè)備**: 在高電流應(yīng)用中提供可靠的開關(guān)功能,支持設(shè)備穩(wěn)定運行。

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