3LP01S-VB一款SOT23封裝P—Channel場效應MOS管
型號:
3LP01S-VB
品牌:
VBsemi(微碧)
**產品型號:** 3LP01S-VB
**絲?。?* VB264K
**品牌:** VBsemi
**參數:**
- 封裝:SOT23
- 溝道類型:P—Channel
- 最大漏電壓(VDS):-60V
- 最大漏電流(ID):-0.5A
- 開通電阻(RDS(ON)):3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):-1.87V
**應用簡介:**
3LP01S-VB是一款P—Channel溝道的場效應晶體管,采用SOT23封裝。其主要特點包括最大漏電壓為-60V,最大漏電流為-0.5A,具有低開通電阻(RDS(ON))等性能。該產品適用于需要負載開關的電路和模塊。
**適用領域和示例應用:**
1. **電源管理模塊:** 由于3LP01S-VB具有較低的開通電阻和P—Channel溝道的特性,可在電源管理模塊中用作電源開關,提高整體電路的效率。
2. **電池保護回路:** 在需要對電池進行過放電保護的應用中,3LP01S-VB可以作為電池保護回路中的關鍵組件,確保電池的安全使用。
3. **低功耗電子設備:** 由于其低閾值電壓和低漏電流的特性,適用于一些對功耗要求較為嚴格的低功耗電子設備,如便攜式設備、傳感器模塊等。
總體而言,3LP01S-VB適用于需要P—Channel溝道場效應晶體管的電路和模塊,特別是在一些對功耗、效率和電源管理要求較高的領域中發(fā)揮著重要作用。