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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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FDS8333C-NL-VB一款N+P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號: FDS8333C-NL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N+P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**詳細參數(shù)說明:**
- 型號:FDS8333C-NL-VB
- 絲印:VBA5325
- 品牌:VBsemi
- 封裝:SOP8
- 類型:N+P-Channel溝道
- 額定電壓:±30V
- 額定電流:9A (N-Channel) / -6A (P-Channel)
- 導通電阻:15mΩ (N-Channel) / 42mΩ (P-Channel) @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:±1.65V

**應用簡介:**
這是一款集成了N-Channel和P-Channel溝道的功率場效應晶體管(Power MOSFET),適用于SOP8封裝。其特點包括±30V的額定電壓,分別為9A和-6A的額定電流,低導通電阻等,使其適用于多種功率電子應用。

**應用領域:**
該器件常用于電源開關、功率放大、電機驅動等領域的模塊。在這些模塊中,它可以用于功率調節(jié)、反向電流保護等功能,提供高效的電能轉換和控制。

**作用:**
- 在電源開關模塊中,可用于高功率的開關電源的調節(jié)和控制。
- 在功率放大模塊中,可用于信號放大和功率放大的應用。
- 在電機驅動模塊中,可用于電機的雙向驅動和控制。

**使用注意事項:**
- 嚴格按照數(shù)據(jù)手冊提供的最大額定值操作,以防止器件損壞。
- 注意器件的靜電敏感性,采取適當?shù)姆雷o措施。
- 在設計中考慮散熱和溫度管理,確保器件在正常工作溫度范圍內。
- 遵循適當?shù)暮附雍桶惭b標準,以確保可靠的電氣連接和機械強度。

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