BSP89-VB一款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

**產(chǎn)品簡介：**
BSP89-VB 是一款 N-Channel MOSFET，封裝為 SOT223，設計用于中高電壓應用。該 MOSFET 的 VDS（漏極-源極最大電壓）為 250V，最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V，漏極電流 ID 達到 0.79A。其導通電阻 RDS(ON) 為 2000mΩ（在 VGS=10V 時），采用溝槽型工藝技術，適合用于需要高電壓和中等電流的開關應用。

**詳細參數(shù)說明：**
- **封裝**: SOT223
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓（VDS）**: 250V
- **柵源極電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 2000mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 0.79A
- **技術**: 溝槽型工藝

**應用領域和模塊示例：**
1. **高電壓開關**：在需要處理高電壓的開關電路中，BSP89-VB 能夠可靠地開關高達 250V 的電壓，適用于高電壓電源管理和控制系統(tǒng)。
2. **電子設備保護**：在電子設備的過壓保護電路中，該 MOSFET 能夠承受較高的電壓，防止過壓對設備造成損害。
3. **小型電源開關**：在要求中等電流的電源開關應用中，BSP89-VB 的適中電流能力和高電壓耐受性使其成為理想選擇，如小型電源模塊和開關控制電路。