**1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**
BSP75N-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 SOT223。采用 Trench 技術(shù)，提供可靠的開(kāi)關(guān)性能和適中的導(dǎo)通電阻，適合用于中等功率和電流的電子應(yīng)用。
**2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**
- **封裝**: SOT223
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ（在 VGS=4.5V 時(shí)）
- 76mΩ（在 VGS=10V 時(shí)）
- **漏極電流 (ID)**: 4.5A
- **技術(shù)**: Trench
**3. 應(yīng)用領(lǐng)域舉例：**
BSP75N-VB 適用于中等功率的開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、功率開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED 驅(qū)動(dòng)電路和低功耗電源系統(tǒng)。其適中的導(dǎo)通電阻和較高的電壓承受能力使其在要求較高電流和電壓的應(yīng)用中提供穩(wěn)定的性能，特別適合用于電源保護(hù)和開(kāi)關(guān)控制。
