--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品型號: RFD12N06RLESM-VB
絲印: VBE1638
品牌: VBsemi
**詳細參數(shù)說明:**
- 封裝類型: TO252
- 溝道類型: N-Channel
- 額定電壓: 60V
- 最大電流: 45A
- RDS(ON) (導通電阻): 24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: 1.8V
**應用簡介:**
RFD12N06RLESM-VB是一款TO252封裝的N-Channel溝道MOSFET。它在電子領域中廣泛應用,適用于需要高性能開關電源的應用。
**主要應用領域模塊:**
1. **電源模塊:** 在電源模塊中,RFD12N06RLESM-VB可用作電源開關,實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。
2. **電機驅(qū)動模塊:** 該器件可應用于電機驅(qū)動模塊,實現(xiàn)電機控制,提高電機的效率。
3. **電源逆變器模塊:** 在電源逆變器模塊中,可用于實現(xiàn)電能從直流到交流的轉(zhuǎn)換。
**作用:**
- 實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換
- 提供可靠的電源管理
- 控制電流
**使用注意事項:**
1. 請確保在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)操作,不要超過60V。
2. 在使用過程中避免過載,以防損壞器件。
3. 遵循廠家提供的電氣特性和封裝規(guī)格。
4. 正確連接極性,確保與電路要求一致。
5. 在高電流和高溫環(huán)境中,需采取散熱措施,以確保器件正常工作。
以上僅為產(chǎn)品的簡要說明,具體的使用和應用需參考廠家提供的數(shù)據(jù)手冊和規(guī)格書。
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