DMN6068LK3-13-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

**VBsemi DMN6068LK3-13-VB 產(chǎn)品詳細參數(shù)說明：**

- **絲印標(biāo)識：** VBE1695
- **品牌：** VBsemi
- **封裝：** TO252
- **通道類型：** N—Channel溝道
- **漏極-源極電壓（V_DS）：** 60V
- **漏極-源極電流（I_D）：** 18A
- **導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）：** 73mΩ @ V_GS=10V, 73mΩ @ V_GS=20V
- **閾值電壓（V_th）：** 2V

**應(yīng)用簡介：**

VBsemi DMN6068LK3-13-VB 是一款TO252封裝的N—Channel溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于中功率開關(guān)電源和電機驅(qū)動應(yīng)用。

**主要應(yīng)用領(lǐng)域和模塊：**

1. **電源開關(guān)模塊：** 適用于直流-直流（DC-DC）變換器、電源開關(guān)控制等。
 
2. **電機驅(qū)動模塊：** 可用于中功率電機驅(qū)動，提供適中電流和低導(dǎo)通電阻的特性。

**作用：**

- 提供適中電流和低導(dǎo)通電阻的功率開關(guān)控制。
- 用于中功率電機驅(qū)動模塊，支持高效率和中功率應(yīng)用。

**使用注意事項：**

1. **電壓等級：** 在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)使用，不要超過產(chǎn)品標(biāo)稱的最大漏極-源極電壓。
 
2. **電流負載：** 注意電流負載不要超過產(chǎn)品的額定電流。
 
3. **工作溫度：** 在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)使用，避免超溫操作。

以上信息僅為參考，實際使用時請仔細閱讀產(chǎn)品手冊和規(guī)格書，確保正確使用，并遵循廠商的建議和注意事項。