--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 SOT23封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**詳細參數(shù)說明:**
- 產(chǎn)品型號: FDN86246-VB
- 絲印: VB1101M
- 品牌: VBsemi
- 封裝: SOT23
- 溝道類型: N—Channel
- 額定電壓: 100V
- 最大電流: 4.3A
- 開啟電阻: RDS(ON) = 120mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 1.2~2.8V
**應用簡介:**
該器件適用于需要N—Channel溝道的高電壓、中電流應用。主要應用于電源開關(guān)、驅(qū)動電路和功率放大器等領(lǐng)域。
**主要應用領(lǐng)域模塊:**
1. 電源開關(guān)模塊
2. 驅(qū)動電路模塊
3. 功率放大器模塊
**作用:**
- 電源開關(guān)模塊:提供高效的電源開關(guān)控制,適用于高電壓需求。
- 驅(qū)動電路模塊:實現(xiàn)中電流的高效驅(qū)動,適用于電機驅(qū)動和開關(guān)電源。
- 功率放大器模塊:提供中功率的放大功能,適用于音頻和射頻功率放大應用。
**使用注意事項:**
1. 請確保在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)操作。
2. 避免超過最大電流限制。
3. 在設(shè)計中考慮散熱,以確保器件正常工作溫度。
4. 遵循廠商提供的應用電路設(shè)計建議。
5. 注意防靜電措施,以防止損壞器件。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產(chǎn)品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產(chǎn)品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產(chǎn)品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產(chǎn)品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產(chǎn)品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產(chǎn)品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產(chǎn)品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產(chǎn)品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產(chǎn)品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產(chǎn)品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N