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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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FDN86246-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應用分析

型號: FDN86246-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**詳細參數(shù)說明:**
- 產(chǎn)品型號: FDN86246-VB
- 絲印: VB1101M
- 品牌: VBsemi
- 封裝: SOT23
- 溝道類型: N—Channel
- 額定電壓: 100V
- 最大電流: 4.3A
- 開啟電阻: RDS(ON) = 120mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 1.2~2.8V

**應用簡介:**
該器件適用于需要N—Channel溝道的高電壓、中電流應用。主要應用于電源開關(guān)、驅(qū)動電路和功率放大器等領(lǐng)域。

**主要應用領(lǐng)域模塊:**
1. 電源開關(guān)模塊
2. 驅(qū)動電路模塊
3. 功率放大器模塊

**作用:**
- 電源開關(guān)模塊:提供高效的電源開關(guān)控制,適用于高電壓需求。
- 驅(qū)動電路模塊:實現(xiàn)中電流的高效驅(qū)動,適用于電機驅(qū)動和開關(guān)電源。
- 功率放大器模塊:提供中功率的放大功能,適用于音頻和射頻功率放大應用。

**使用注意事項:**
1. 請確保在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)操作。
2. 避免超過最大電流限制。
3. 在設(shè)計中考慮散熱,以確保器件正常工作溫度。
4. 遵循廠商提供的應用電路設(shè)計建議。
5. 注意防靜電措施,以防止損壞器件。

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