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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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FQD11P06TM-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號: FQD11P06TM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 產(chǎn)品型號: FQD11P06TM-VB
- 絲印: VBE2610N
- 品牌: VBsemi
- 封裝: TO252
- 溝道類型: P—Channel
- 額定電壓: -60V
- 最大電流: -38A
- 開啟電阻: RDS(ON) = 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = -1.3V

**應(yīng)用簡介:**
該器件適用于需要P—Channel溝道的高電壓、高電流應(yīng)用。主要應(yīng)用于電源開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動和功率放大器等領(lǐng)域。

**主要應(yīng)用領(lǐng)域模塊:**
1. 電源開關(guān)模塊
2. 電機(jī)驅(qū)動模塊
3. 功率放大器模塊

**作用:**
- 電源開關(guān)模塊:提供高效的電源開關(guān)控制,適用于高電壓需求。
- 電機(jī)驅(qū)動模塊:控制電機(jī)的高電流和功率,適用于高性能電機(jī)系統(tǒng)。
- 功率放大器模塊:實(shí)現(xiàn)高功率放大,適用于音頻和射頻功率放大應(yīng)用。

**使用注意事項(xiàng):**
1. 請確保在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)操作。
2. 避免超過最大電流限制。
3. 在設(shè)計(jì)中考慮散熱,以確保器件正常工作溫度。
4. 遵循廠商提供的應(yīng)用電路設(shè)計(jì)建議。
5. 注意防靜電措施,以防止損壞器件。

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