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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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EMF30N02J-VB場效應(yīng)管一款N溝道SOT23封裝的晶體管

型號: EMF30N02J-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**VBsemi EMF30N02J-VB 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)說明與應(yīng)用簡介**

**參數(shù)說明:**
- **型號:** EMF30N02J-VB
- **絲?。?* VB1240
- **品牌:** VBsemi
- **封裝:** SOT23
- **通道類型:** N—Channel溝道
- **工作電壓:** 20V
- **最大電流:** 6A
- **導(dǎo)通電阻:** RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V, VGS=8V
- **閾值電壓:** Vth=0.45~1V

**應(yīng)用簡介:**
VBsemi的EMF30N02J-VB是一款SOT23封裝的N溝道場效應(yīng)管,適用于低功率、低電壓的電子應(yīng)用。該器件在電源管理、信號開關(guān)和電路控制等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

**主要應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:**
1. **電源管理模塊:** EMF30N02J-VB可用于電源管理模塊,作為電源開關(guān)或電源調(diào)整器件,提供低功耗的電源管理。

2. **信號開關(guān)模塊:** 適用于信號開關(guān)模塊,可用于實(shí)現(xiàn)低電壓條件下的信號切換,例如在低電壓邏輯電路中的應(yīng)用。

3. **電路控制模塊:** 由于器件具有低電壓閾值和適中的電流承受能力,可用于一些低功率的電路控制模塊。

**作用:**
- **電流控制:** EMF30N02J-VB可作為電流控制的關(guān)鍵元件,通過調(diào)整其導(dǎo)通電阻來實(shí)現(xiàn)對電路中電流的控制。

- **信號切換:** 適用于信號開關(guān)模塊,實(shí)現(xiàn)在低電壓條件下的信號切換和控制。

**使用注意事項(xiàng):**
1. **散熱設(shè)計(jì):** 在高功率應(yīng)用中,需要合理設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng),確保器件工作在適當(dāng)?shù)臏囟确秶鷥?nèi),以維持其性能和壽命。

2. **電壓與電流限制:** 注意器件的最大工作電壓和電流,不要超過規(guī)定的參數(shù)范圍,以防止損壞器件。

3. **防靜電措施:** 在搬運(yùn)和使用過程中,請采取防靜電措施,避免靜電對器件的影響。

4. **參考數(shù)據(jù)手冊:** 在設(shè)計(jì)電路時(shí),請仔細(xì)閱讀器件的數(shù)據(jù)手冊,確保按照廠家提供的建議來設(shè)計(jì)和使用。

綜上所述,EMF30N02J-VB是一款適用于低功率、低電壓電子應(yīng)用的N溝道場效應(yīng)管,廣泛應(yīng)用于電源管理模塊、信號開關(guān)模塊以及一些低功率電路控制模塊中。在使用時(shí),請遵循相關(guān)的使用注意事項(xiàng),以確保器件在各種應(yīng)用場景下的可靠性和性能。

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