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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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MTD3055VLT4G-VB場(chǎng)效應(yīng)管一款N溝道TO252封裝的晶體管

型號(hào): MTD3055VLT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**VBsemi MTD3055VLT4G-VB 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明與應(yīng)用簡(jiǎn)介**

**參數(shù)說(shuō)明:**
- **型號(hào):** MTD3055VLT4G-VB
- **絲?。?* VBE1695
- **品牌:** VBsemi
- **封裝:** TO252
- **通道類(lèi)型:** N—Channel溝道
- **工作電壓:** 60V
- **最大電流:** 18A
- **導(dǎo)通電阻:** RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓:** Vth=2V

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
VBsemi的MTD3055VLT4G-VB是一款TO252封裝的N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,適用于低中功率的電子應(yīng)用。該器件在電源管理、開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

**主要應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:**
1. **開(kāi)關(guān)電源模塊:** MTD3055VLT4G-VB可用于開(kāi)關(guān)電源模塊,作為電源開(kāi)關(guān)器件,實(shí)現(xiàn)高效的電源開(kāi)關(guān)控制。

2. **電機(jī)控制模塊:** 適用于中小功率的電機(jī)控制模塊,可在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中提供可靠的電流支持。

3. **電源逆變器:** 在中小功率的逆變電路中,MTD3055VLT4G-VB可用于實(shí)現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換,是逆變器中的關(guān)鍵元件。

**作用:**
- **電流控制:** MTD3055VLT4G-VB可作為電流控制的關(guān)鍵元件,通過(guò)調(diào)整其導(dǎo)通電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電路中電流的控制。

- **功率調(diào)整:** 適用于中小功率的功率電子模塊,可用于調(diào)整電路中的功率,滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

**使用注意事項(xiàng):**
1. **散熱設(shè)計(jì):** 在高功率應(yīng)用中,需要合理設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng),確保器件工作在適當(dāng)?shù)臏囟确秶鷥?nèi),以維持其性能和壽命。

2. **電壓與電流限制:** 注意器件的最大工作電壓和電流,不要超過(guò)規(guī)定的參數(shù)范圍,以防止損壞器件。

3. **防靜電措施:** 在搬運(yùn)和使用過(guò)程中,請(qǐng)采取防靜電措施,避免靜電對(duì)器件的影響。

4. **參考數(shù)據(jù)手冊(cè):** 在設(shè)計(jì)電路時(shí),請(qǐng)仔細(xì)閱讀器件的數(shù)據(jù)手冊(cè),確保按照廠家提供的建議來(lái)設(shè)計(jì)和使用。

綜上所述,MTD3055VLT4G-VB是一款適用于低中功率電子應(yīng)用的N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源模塊、電機(jī)控制模塊以及電源逆變器等領(lǐng)域。在使用時(shí),請(qǐng)遵循相關(guān)的使用注意事項(xiàng),以確保器件在各種應(yīng)用場(chǎng)景下的可靠性和性能。

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