型號(hào)：FDT3612-VB
絲印： VBJ1101M
品牌： VBsemi
封裝： SOT223
詳細(xì)參數(shù)說明：
溝道類型（Channel Type）： N—Channel
最大漏電流（Maximum Drain Current）： 5A
最大漏電壓（Maximum Drain-Source Voltage）： 100V
導(dǎo)通電阻（On-Resistance）： RDS(ON)=100mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
閾值電壓（Gate Threshold Voltage）： Vth=2~4V
應(yīng)用簡(jiǎn)介：
FDT3612-VB是一款N—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有適中的漏電流、較高的漏電壓、低導(dǎo)通電阻等特性。采用SOT223標(biāo)準(zhǔn)封裝，適用于多種電子應(yīng)用。
主要應(yīng)用領(lǐng)域模塊：
電源開關(guān)模塊： 適用于電源開關(guān)模塊，實(shí)現(xiàn)高效的電源控制和管理，尤其在低至中功率的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
電流控制模塊： 由于其適中的性能參數(shù)，可用于電流控制模塊，實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載電流的有效控制。
電池保護(hù)模塊： 適用于電池保護(hù)電路，提供對(duì)電池的有效保護(hù)。
使用注意事項(xiàng)：
請(qǐng)按照廠家提供的規(guī)格書和應(yīng)用指南使用，并確保工作條件在組件的規(guī)定范圍內(nèi)。
確保電路設(shè)計(jì)合理，以防過電流、過電壓等情況對(duì)器件造成損害。
注意適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計(jì)，特別是在高功率應(yīng)用中，以確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
遵循焊接和封裝的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，確保器件與電路板的可靠連接。
