型號：30N10-VB
絲印：VBE1104N
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：100V
- 額定電流：40A
- 靜態(tài)導通電阻（RDS(ON)）：30mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：1.8V
- 封裝類型：TO252
應用簡介：
30N10-VB是一款N溝道場效應晶體管（FET），具有高電壓和高電流特性。它適用于需要高性能電流控制的電子應用。TO252封裝適合各種電路設(shè)計。
應用領(lǐng)域：
1. 電源開關(guān)模塊：30N10-VB可用于電源開關(guān)電路，如開關(guān)穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和功率放大器，以實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。
2. 電機控制：在電機驅(qū)動電路和電機控制器中，這款晶體管可用于電機的啟停、速度調(diào)節(jié)和效能提升。
3. 電源因數(shù)校正：在電源因數(shù)校正電路中，30N10-VB可用于改善電源因數(shù)，降低諧波失真。
4. 電路保護：在電路保護器件中，這款N溝道場效應晶體管可用于過電流保護、短路保護和電壓保護，確保電路的安全運行。
總之，30N10-VB是一款適用于高電壓和高電流電子應用的N溝道場效應晶體管，適用于電源管理、電機控制、電源因數(shù)校正和電路保護等領(lǐng)域。其TO252封裝使其適用于各種電路設(shè)計。
