型號(hào): TP0610K-T1-E3-VB
絲印: VB264K
品牌: VBsemi
參數(shù): P溝道, -60V, -0.5A, RDS(ON) 3000mΩ @ 10V, 3680mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); -1.87Vth (V)
封裝: SOT23
詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介：
1. 溝道類型：P溝道
- 這表示這是一種P溝道MOSFET，通常用于需要控制負(fù)電壓電源的應(yīng)用。
2. 額定電壓 (VDS)：-60V
- 這是溝道MOSFET能夠承受的最大負(fù)電壓，表示它適用于需要處理高達(dá)-60V的電路。
3. 額定電流 (ID)：-0.5A
- 這是溝道MOSFET的額定電流，表示它可以處理的小電流負(fù)載。
4. 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON))：
- RDS(ON)是溝道MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻。在10V的情況下，它的電阻為3000mΩ，而在4.5V的情況下為3680mΩ。這表明在導(dǎo)通狀態(tài)下，它的電阻相對(duì)較高，適用于小功率應(yīng)用。
5. 柵源電壓額定值 (Vgs)：20V (±V)
- 這表示柵源電壓的額定范圍為正負(fù)20V。柵源電壓用來(lái)控制MOSFET的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。
6. 閾值電壓 (Vth)：-1.87V
- 這是溝道MOSFET的閾值電壓，表示需要應(yīng)用在柵極上的電壓，以使器件開(kāi)始導(dǎo)通。
應(yīng)用簡(jiǎn)介：
這種型號(hào)的P溝道MOSFET通常用于小功率應(yīng)用，包括但不限于以下領(lǐng)域和模塊：
1. 電源開(kāi)關(guān)：它可以用于小功率電源開(kāi)關(guān)模塊，如電池保護(hù)電路，以實(shí)現(xiàn)電池的充電和放電控制。
2. 信號(hào)開(kāi)關(guān)：在小功率信號(hào)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，如音頻信號(hào)開(kāi)關(guān)，它可以用于控制信號(hào)通路。
3. 電源逆變器：在低功率逆變器中，它可以用于將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源。
4. 低功率控制：在需要控制小功率負(fù)載的應(yīng)用中，如LED控制和小電機(jī)控制，它可以用作負(fù)載開(kāi)關(guān)。
總之，這種型號(hào)的P溝道MOSFET適用于需要處理小功率電源和負(fù)載的領(lǐng)域，以滿足功率開(kāi)關(guān)和電源管理的需求，特別是需要處理負(fù)電壓電源的小功率應(yīng)用。由于其較低的電流和電壓能力，適用于小功率應(yīng)用。
