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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI2328DS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應用分析

型號: SI2328DS-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:SI2328DS-T1-GE3-VB

**絲印:** VB1102M

**品牌:** VBsemi

**參數(shù):**
- 類型:N溝道
- 額定電壓(Vds):100V
- 最大電流(Id):2A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):246mΩ @ 10V, 260mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓(Vth):2V
- 封裝:SOT23

**產(chǎn)品簡介:**
SI2328DS-T1-GE3-VB是VBsemi生產(chǎn)的N溝道場效應晶體管(MOSFET),適用于多種電子應用。該器件具有適度的電流承受能力和中等電壓特性,適用于需要中等功率和電流控制的電路。

**主要特點:**
- 適度電流承受能力:適用于中等電流負載,具有合適的性能。
- 中等額定電壓:額定電壓(Vds)為100V,適用于中等電源電壓范圍。
- 低導通電阻:具有相對低的靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)),有助于減少功耗和提高效率。
- SOT23封裝:小巧的SOT23封裝適合緊湊的電路設計。

**應用領(lǐng)域:**
SI2328DS-T1-GE3-VB通常用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **低功耗電子設備:** 由于適度的電流承受能力和中等電壓特性,它常被用于低功耗電子設備,如便攜式設備、傳感器和小型電源管理。

2. **電源開關(guān)器件:** 由于中等電壓和適度的電流承受能力,它常用作電源開關(guān)器件,如開關(guān)電源、逆變器和穩(wěn)壓器,以提高電路的效率和性能。

3. **信號開關(guān):** 在信號開關(guān)電路中,例如在模擬和數(shù)字電路中的開關(guān)電路,以實現(xiàn)信號的切換和控制。

4. **電源管理:** SI2328DS-T1-GE3-VB可以用于電源管理模塊,例如電池充電、電源選擇和低功耗待機模式。

需要注意的是,具體的應用領(lǐng)域可能會因產(chǎn)品用途、電路設計和規(guī)格要求而有所不同。在選擇和使用這種型號時,建議根據(jù)具體應用的電氣特性和性能要求來確定其適用性。這款器件適合需要中等功率和電流控制的應用。

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