25P03LG-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào)：25P03LG-VB
絲印：VBE2338
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- P溝道
- 最大耐壓：-30V
- 最大漏電流：-26A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：33mΩ @ 10V, 46mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：-1.3V
- 封裝：TO252

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
25P03LG-VB是一款P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，適用于多種功率控制和開(kāi)關(guān)電路應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和耐壓特性使其適用于高功率電子系統(tǒng)。

領(lǐng)域模塊應(yīng)用：
1. 電源管理模塊：25P03LG-VB可用于高功率開(kāi)關(guān)電源、穩(wěn)壓器等電源管理模塊，以提供有效的功率控制。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊：在電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路中，這種晶體管可用于提供電機(jī)所需的高電流。
3. 高功率開(kāi)關(guān)模塊：適用于高功率開(kāi)關(guān)模塊，如電焊設(shè)備、高功率LED驅(qū)動(dòng)器等。

這些特性使25P03LG-VB在高功率電子系統(tǒng)中具有廣泛的應(yīng)用。