BSO080P03NS3E G-VB一款Single-P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BSO080P03NS3E G-VB** 是一款高性能單 P-Channel MOSFET，封裝形式為 SOP8。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)，具備低導(dǎo)通電阻和較高的漏電流承載能力，專為高功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用設(shè)計(jì)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合于需要高效和穩(wěn)定性的電子設(shè)備。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單 P-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**: -30V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: -3V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(on))**:
 - 8mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 5mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: -18A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高效開關(guān)電源**: BSO080P03NS3E G-VB 適用于高效開關(guān)電源中，作為開關(guān)元件使用，能夠顯著提高電源效率和穩(wěn)定性。

2. **電源管理**: 在電源管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 能夠有效地控制電流并調(diào)節(jié)電源，適合用于電池管理系統(tǒng)和功率調(diào)節(jié)模塊。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 適用于電機(jī)控制電路中，提供高效的電流開關(guān)和穩(wěn)定性，適合高功率電機(jī)應(yīng)用。

4. **消費(fèi)電子**: 用于高性能消費(fèi)電子產(chǎn)品中，例如計(jì)算機(jī)主板和家用電器，作為開關(guān)元件提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性。