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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSO150N03MD G-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSO150N03MD G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BSO150N03MD G-VB** 是一款雙極性N溝道功率MOSFET,封裝為SOP8。這款MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和最大±20V的柵極源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為1.7V,導(dǎo)通電阻為20mΩ(VGS=4.5V)和16mΩ(VGS=10V),最大漏電流為8.5A。MOSFET采用溝槽技術(shù),設(shè)計(jì)用于需要高效率和高電流處理的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BSO150N03MD G-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 20mΩ @ VGS = 4.5V
 - 16mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 8.5A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊

**BSO150N03MD G-VB** 功率MOSFET 適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**:在電源轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為開關(guān)元件,適合處理中等電流負(fù)載,提供高效的電源管理和轉(zhuǎn)換。

2. **負(fù)載開關(guān)**:用于各種負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,如小型電池供電設(shè)備和家用電器,能夠高效控制電流流動(dòng)和降低功耗。

3. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在小功率電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中使用,能夠處理中等電流負(fù)載,適合電動(dòng)工具和小型電機(jī)應(yīng)用,提供穩(wěn)定的電流控制。

4. **功率調(diào)節(jié)**:在功率調(diào)節(jié)模塊中用于電流控制,適合應(yīng)用于電源模塊和調(diào)節(jié)器中,優(yōu)化系統(tǒng)性能和提高效率。

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