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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NTGD3148NT1G-VB一款2個N溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析

型號: NTGD3148NT1G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 2個N溝道
  • 封裝 SOT23-6封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

VBsemi推出了NTGD3148NT1G型號的MOS管,其絲印型號為VB3222。該產(chǎn)品為雙N溝道晶體管,具備出色的性能參數(shù)。最大工作電壓為20V,最大工作電流為4.8A。導通狀態(tài)下的導通電阻(RDS(ON))分別為22mΩ @ 4.5V和28mΩ @ 2.5V。此外,該產(chǎn)品支持12Vgs(±V)的驅動電壓范圍,其閾值電壓范圍為1.2~2.2V。

NTGD3148NT1G MOS管采用緊湊的SOT23-6封裝,為各種電路設計提供了高度的靈活性和集成性。在多個領域都具有廣泛的應用。在電源管理、開關電源和功率放大等領域,NTGD3148NT1G MOS管可以發(fā)揮其優(yōu)越的電性能,實現(xiàn)高效能源轉換。在電池管理系統(tǒng)中,該產(chǎn)品可用于電池充放電管理、保護及控制。此外,在電子設備中,它還可以用于信號放大和開關控制等功能,提供可靠的性能和穩(wěn)定性。

總之,NTGD3148NT1G MOS管是VBsemi為滿足不同領域需求而推出的高品質產(chǎn)品。其在電源管理、電池管理、信號放大和開關控制等領域的應用,為各種模塊的設計提供了高效可靠的解決方案。

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