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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI1308EDL-VB一種N溝道SC70-3封裝MOS管

型號(hào): SI1308EDL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 額定電壓 20V
  • 額定電流 4A
  • 開態(tài)電阻 45mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V, 60mΩ
  • 門源電壓范圍 12Vgs (±V)
  • 閾值電壓范圍 1~3Vth (V)
  • 封裝 SC70-3

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)  SI1308EDL-VB
絲印  VBK1270
品牌  VBsemi
參數(shù)  
 N溝道
 額定電壓  20V
 額定電流  4A
 開態(tài)電阻  45mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V, 60mΩ @ 2.5V
 門源電壓范圍  12Vgs (±V)
 閾值電壓范圍  1~3Vth (V)
 封裝  SC70-3

詳細(xì)參數(shù)說明  
 N溝道  這是一個(gè)N溝道MOSFET。N溝道MOSFET是一種場效應(yīng)晶體管,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度,適用于各種功率應(yīng)用。
 額定電壓  該器件的額定電壓為20V,意味著在正常工作條件下,其電壓不應(yīng)超過20V。
 額定電流  該器件的額定電流為4A,意味著它可以承受最高4A的電流。
 開態(tài)電阻  該器件的開態(tài)電阻是指在不同電壓下的導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻值。它具有很低的開態(tài)電阻,分別為45mΩ @ 10V,49mΩ @ 4.5V和60mΩ @ 2.5V,意味著它可以減小功耗和發(fā)熱。
 門源電壓范圍  該器件的門源電壓范圍為12Vgs (±V),這意味著在操作時(shí),其門電極與源電極之間的電壓應(yīng)在12Vgs (±V)范圍內(nèi)。
 閾值電壓范圍  該器件的閾值電壓范圍為1~3Vth (V),這是指當(dāng)其門源電壓超過或低于1~3Vth (V)范圍時(shí),其導(dǎo)通狀態(tài)將改變。
 封裝  該器件封裝為SC70-3,這是一種小型封裝,通常用于需要高密度組件的應(yīng)用。

應(yīng)用簡介  
SI1308EDL-VB主要用于以下領(lǐng)域模塊  
1. 電源管理模塊  由于SI1308EDL-VB具有低導(dǎo)通電阻和能夠承受較高電流的能力,它適用于電源管理模塊中的功率開關(guān)和電流控制應(yīng)用。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器  SI1308EDL-VB可以用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件,以實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。
3. 逆變器  逆變器用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。SI1308EDL-VB的高導(dǎo)通電流和低導(dǎo)通電阻使其適用于逆變器中的開關(guān)元件。
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器  SI1308EDL-VB的高電流承受能力使其非常適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)元件。

總結(jié)  SI1308EDL-VB是一款N溝道MOSFET,適用于電源管理模塊、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域模塊,具有低導(dǎo)通電阻、高電流承受能力和高效的電能轉(zhuǎn)換能力。

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