型號 2SJ355-VB
絲印 VBI2338
品牌 VBsemi
參數(shù)
類型 P溝道
額定電壓（Vds） -30V
最大持續(xù)電流（Id） -5.8A
導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） 50mΩ @ 10V
門源電壓范圍（Vgs） 20V（正負）
閾值電壓范圍（Vth） -0.6~-2V
封裝 SOT89-3
應(yīng)用簡介
2SJ355-VB是一款P溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于需要負向電壓操作的電子應(yīng)用。它在電流開關(guān)和電壓逆變器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
詳細參數(shù)說明
1. 類型 這是一款P溝道MOSFET，意味著它在輸入負向電壓時導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于需要負向電壓操作的電路中。
2. 額定電壓（Vds） 它可以承受的最大漏極-源極電壓為-30V。這表示它可以在負向電壓條件下工作。
3. 最大持續(xù)電流（Id） 這款MOSFET的最大電流承受能力為-5.8A。負號表示電流流向是從源到漏極。
4. 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為50mΩ，表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗相對較低。
5. 門源電壓范圍（Vgs） MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。
6. 閾值電壓范圍（Vth） 這款MOSFET的閾值電壓范圍為-0.6~-2V。這是啟動MOSFET導(dǎo)通的門源電壓范圍。
7. 封裝 這款MOSFET采用SOT89-3封裝，這是一種小型封裝，適用于小型電路板和空間受限的應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域
2SJ355-VB這款P溝道MOSFET適用于多種需要負向電壓操作的電子模塊和設(shè)備，包括但不限于以下領(lǐng)域模塊
1. 電源開關(guān) 可用于負向電壓電源開關(guān)，如電壓轉(zhuǎn)換和電源控制。
2. 電壓逆變器 用于逆變器電路，將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，如太陽能逆變器和電力逆變器。
3. 電池保護 可用于電池保護電路，以確保電池不過充電或過放電。
4. 負載開關(guān) 用于控制負載的通斷，如LED照明系統(tǒng)、電動工具和電子設(shè)備。
5. 電源管理 在需要負向電壓電源管理和電流控制的應(yīng)用中使用，以確保高效的電源供應(yīng)。
總之，這款P溝道MOSFET適用于需要負向電壓操作的電子模塊和設(shè)備，提供電源控制和電流管理的功能，特別是在需要負向電壓操作的應(yīng)用中。
