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標(biāo)簽 > MOS管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。
1.外圍電路1.1.柵極電阻R51的柵極電阻可以控制MOS管的GS結(jié)電容的充放電速度。對(duì)于MOS管而言，開(kāi)通速度越快，開(kāi)通損耗越小。但是速度太快容易引起...
隨著智能設(shè)備的普及，電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下，封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。...
隨著新能源汽車、5G、AI等新型應(yīng)用領(lǐng)域爆發(fā)，MOS管在電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景需求也隨之激增，國(guó)產(ch...
本文通過(guò)分析器件制造中的影響因素，提出了版圖設(shè)計(jì)技術(shù)與匹配原則及其應(yīng)用。
2025-04-01 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管版圖設(shè)計(jì) 138 0
音響功放、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在設(shè)計(jì)電路時(shí)卡在怎么選型的問(wèn)題？想用JCS60N10、IRF3710這兩款型號(hào)，但...
2025-03-31 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器MOS管步進(jìn)電機(jī) 136 0
Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。
預(yù)計(jì)2031年全球UPS不間斷電源設(shè)備市場(chǎng)將達(dá)到172.1億美元的規(guī)模，年復(fù)增長(zhǎng)率在4.1%左右。面對(duì)...
合科泰MOS管在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展和環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，高效、節(jié)能的電源系統(tǒng)成為市場(chǎng)的主流需求。開(kāi)關(...
2025-03-24 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源MOS管功率半導(dǎo)體 253 0
通過(guò)開(kāi)關(guān)的打開(kāi)和閉合產(chǎn)生周期性的方波，如12V的輸入電壓，5V的輸出電壓，則方波的高低電平的比例是5：7;也就是PWM波，通過(guò)改變方波...
2025-03-19 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源MOS管DC-DC 610 0
之前寫(xiě)的恒流源電路都是單向的，即只能提供一個(gè)流向，支持sink或者支持source，但是不同時(shí)支持sink和source。下圖是抄的一個(gè)模塊上的4~2...
NS1716內(nèi)置MOS管開(kāi)關(guān)降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)器中文手冊(cè)立即下載
類別：IC中文資料 2025-04-09 標(biāo)簽：ledMOS管恒流驅(qū)動(dòng)器
如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管mos管三個(gè)引腳立即下載
類別：電子資料 2025-03-07 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
類別：電子資料 2025-03-06 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源MOS管波形
類別：電子資料 2025-01-08 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
SIF2N60F場(chǎng)效應(yīng)管MOS管2A600V封裝TO-251/TO-252深愛(ài)半導(dǎo)體-深圳加權(quán)光電立即下載
類別：電子資料 2024-07-24 標(biāo)簽：MOS管深愛(ài)半導(dǎo)體SIF2N60
SIF24N50F深愛(ài)半導(dǎo)體MOS管場(chǎng)效應(yīng)管24A500V封裝TO-220F/TO-3P深圳加權(quán)光電立即下載
類別：電子資料 2024-07-23 標(biāo)簽：MOS管深愛(ài)半導(dǎo)體加權(quán)光電
類別：電子資料 2024-07-22 標(biāo)簽：MOS管深愛(ài)半導(dǎo)體
第104屆中國(guó)電子展即CITE2025即將在深圳會(huì)展中心（福田）隆重舉辦。2025年4月9-11日飛虹半導(dǎo)體受邀參展，攜其在大功率分立器件領(lǐng)...
國(guó)產(chǎn)MOS管質(zhì)量與可靠性優(yōu)勢(shì)剖析
在電子元件領(lǐng)域，MOS管作為電力電子系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，其質(zhì)量與可靠性至關(guān)重要。近年來(lái)，國(guó)產(chǎn)MOS管憑借...
2025-04-07 標(biāo)簽：MOS管 59 0
新能源汽車、5G、AI推動(dòng)MOS管需求激增，國(guó)產(chǎn)替代加速工藝升級(jí)。合科泰MOS管覆蓋多場(chǎng)景需求，型號(hào)如HKTQ30N...
2025-03-31 標(biāo)簽：MOS管 180 0
廣東佳訊電子 MOS管在儲(chǔ)能產(chǎn)品應(yīng)用方案
儲(chǔ)能是未來(lái)新型電力系統(tǒng)的核心資產(chǎn)，賽道景氣度高。儲(chǔ)能的市場(chǎng)增長(zhǎng)將在未來(lái)兩年呈現(xiàn)出迅速...
MOS管功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)要點(diǎn)
MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)是確保其穩(wěn)定、高效運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對(duì)MOS管功耗計(jì)算與散...
MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)
MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)是確保其穩(wěn)定工作和延長(zhǎng)使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對(duì)MOS管功耗計(jì)算...
隨著新能源汽車技術(shù)的普及，對(duì)電力控制系統(tǒng)IGBT的需要也隨之提升，今天咱們重點(diǎn)講講新能源汽車IGBT中的關(guān)鍵分立器件——MOS管，到...
據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示，2025年全球個(gè)人智能音頻市場(chǎng)將進(jìn)一步增長(zhǎng)，對(duì)比2024年的4.94億臺(tái)預(yù)計(jì...
2025-03-24 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管音響電源 246 0
隨著物聯(lián)網(wǎng)和智能家居技術(shù)的不斷發(fā)展，智慧照明系統(tǒng)正逐漸成為現(xiàn)代生活的一部分。智慧照明不僅能夠提供舒適的照明環(huán)境...
在現(xiàn)代工業(yè)和生活中，電動(dòng)工具扮演著不可或缺的角色，從建筑工地到家庭裝修，從專業(yè)維修到日常DIY，它們以其高效、便捷的特性，極大地提升了工...
2025-03-24 標(biāo)簽：MOS管分立器件電動(dòng)工具 163 0
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