--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 額定電壓 40V
- 最大持續(xù)電流 50A
- 導通電阻 12mΩ @ 10V, 14mΩ @ 4.5V
- 門源電壓范圍 20V(正負)
- 閾值電壓(Vth 1.78V
- 封裝 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 STD30NF04LT-VB
絲印 VBE1410
品牌 VBsemi
參數(shù)
類型 N溝道
額定電壓(Vds) 40V
最大持續(xù)電流(Id) 50A
導通電阻(RDS(ON)) 12mΩ @ 10V, 14mΩ @ 4.5V
門源電壓范圍(Vgs) 20V(正負)
閾值電壓(Vth) 1.78V
封裝 TO252
應用簡介
STD30NF04LT-VB是一款N溝道場效應晶體管(MOSFET),具有低導通電阻和高電流承受能力。它適用于多種應用領域,特別是需要高電流開關和電源控制的應用。
詳細參數(shù)說明
1. **類型** 這是一款N溝道MOSFET,意味著它在輸入正電壓時導通。這種類型的MOSFET常用于開關和調節(jié)電路中。
2. **額定電壓(Vds)** 它可以承受的最大漏極-源極電壓為40V。這表示在正常工作條件下,其電壓應不超過40V。
3. **最大持續(xù)電流(Id)** 這款MOSFET的最大電流承受能力為50A。它可以處理高電流負載。
4. **導通電阻(RDS(ON))** RDS(ON)是導通狀態(tài)下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為12mΩ,而在4.5V下為14mΩ。低導通電阻表示它可以在導通狀態(tài)下產(chǎn)生較少的功耗。
5. **門源電壓范圍(Vgs)** MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至少20V的電壓來控制它的導通狀態(tài)。
6. **閾值電壓(Vth)** MOSFET的閾值電壓為1.78V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓。
7. **封裝** 這款MOSFET采用TO252封裝,這是一種常見的封裝類型,方便在電路板上安裝和連接。
應用領域
STD30NF04LT-VB這種高性能N溝道MOSFET可以用于多種應用,包括但不限于以下領域
1. **電源供應器** 它可以用于開關電源和線性電源,幫助實現(xiàn)電壓轉換和電流控制。
2. **電機控制** 在電機驅動器中,它可以用于控制電機的速度和方向。
3. **照明控制** 在LED照明系統(tǒng)中,它可以用于開關和調光控制。
4. **電池管理** 在充電和放電電路中,它可以用于電池保護和電流管理。
5. **工業(yè)自動化** 用于控制和監(jiān)控工業(yè)設備和機器。
總之,這款MOSFET適用于需要高電流和低導通電阻的電子電路應用,并廣泛用于工業(yè)、電子、通信和電源領域的模塊和設備中。
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