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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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CMD12N10-VB-TO252封裝N溝道MOSFET

型號(hào)： CMD12N10-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 頻道類型 N溝道
  • 額定電壓 100V
  • 額定電流 18A
  • RDS(ON) 115mΩ @ 10V，121mΩ @ 4.5V
  • 門(mén)源電壓范圍 ±20V
  • 門(mén)源閾值電壓 1.6V
  • 封裝類型 TO252

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

CMD12N10.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào) CMD12N10絲印 VBE1101M品牌 VBsemi參數(shù)  頻道類型 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 18A RDS(ON) 115mΩ @ 10V，121mΩ @ 4.5V 門(mén)源電壓范圍 ±20V 門(mén)源閾值電壓 1.6V 封裝類型 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 CMD12N10（絲印 VBE1101M）是VBsemi公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。以下是詳細(xì)的參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 CMD12N10是一款N溝道功率MOSFET，具有高電壓和電流承載能力。主要參數(shù)包括額定電壓為100V，額定電流為18A，RDS(ON)為115mΩ @ 10V，121mΩ @ 4.5V，門(mén)源電壓范圍為±20V，門(mén)源閾值電壓為1.6V，封裝類型為T(mén)O252。應(yīng)用領(lǐng)域 CMD12N10（VBE1101M）適用于多種領(lǐng)域和應(yīng)用場(chǎng)景，主要用于需要N溝道功率MOSFET的高電壓和大電流承載能力的電路。以下是一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域 1. 電源管理模塊 CMD12N10可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出，改善系統(tǒng)的功耗和效率。2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng) 它可應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，提供高功率和高效能的電力輸出，適用于工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)械設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。3. 汽車電子系統(tǒng) CMD12N10適用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和照明控制等方面，滿足汽車電子系統(tǒng)對(duì)高電壓和高功率的要求。綜上所述，CMD12N10（VBE1101M）是一款N溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和汽車電子系統(tǒng)等領(lǐng)域模塊。它具有高電壓和電流承載能力，適用于需要高功率和高效能的電路。
 

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