--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、BUK553-100A-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
BUK553-100A-VB 是一款由 NXP Semiconductors 生產(chǎn)的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO-220 封裝。這款 MOSFET 具備 100V 的漏源電壓 (VDS) 和 20V 的柵源電壓 (VGS),是基于先進(jìn)的 Trench 技術(shù)制造的。其主要特性包括 127mΩ 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),在 10V 柵源電壓下可承受 18A 的連續(xù)漏極電流 (ID)。這款 MOSFET 設(shè)計(jì)用于高效的開(kāi)關(guān)和放大應(yīng)用,廣泛應(yīng)用于電源管理、直流電機(jī)控制以及工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域。
### 二、BUK553-100A-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產(chǎn)品型號(hào) | BUK553-100A-VB | |
| 封裝 | TO-220 | |
| 配置 | 單 N 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 100 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.8 | V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 127 | mΩ |
| 柵極電流 (IG) | 100 | nA |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 18 | A |
| 瞬時(shí)脈沖漏極電流 (ID(pulse)) | 72 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 125 | W |
| 工作溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
| 技術(shù) | Trench | |
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
BUK553-100A-VB MOSFET 廣泛應(yīng)用于各種電子和工業(yè)領(lǐng)域,以下是幾個(gè)應(yīng)用示例:
1. **電源管理**:在開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,BUK553-100A-VB 可用于高效的電源開(kāi)關(guān),提升整體轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。
2. **直流電機(jī)控制**:在電動(dòng)工具和家用電器中的直流電機(jī)控制模塊中,該 MOSFET 可用作 H 橋電路的一部分,以實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的精確控制和調(diào)速。
3. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備如可編程邏輯控制器 (PLC) 和驅(qū)動(dòng)器中,BUK553-100A-VB 可用于控制高功率負(fù)載,如電磁閥和繼電器,確保系統(tǒng)的可靠性和響應(yīng)速度。
4. **汽車電子**:在汽車電子中,該 MOSFET 可用于電源分配模塊 (PDM),電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向 (EPS) 系統(tǒng)和車載充電器中,提供穩(wěn)定的電流供應(yīng)和保護(hù)功能。
通過(guò)這些應(yīng)用示例,BUK553-100A-VB 展示了其在高效電源開(kāi)關(guān)、精確電機(jī)控制以及可靠工業(yè)和汽車系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用潛力。
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