**產(chǎn)品簡介：**
BSS138-7-F-VB 是一款 N-Channel MOSFET，封裝為 SOT23-3，適用于中等電壓的小型開關(guān)應(yīng)用。該 MOSFET 的 VDS（漏極-源極最大電壓）為 60V，最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V，漏極電流 ID 達到 0.3A。其導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 為 3100mΩ（在 VGS=4.5V 時）和 2800mΩ（在 VGS=10V 時），采用溝槽型工藝技術(shù)，適合用于低功耗、小型開關(guān)電路。
**詳細參數(shù)說明：**
- **封裝**: SOT23-3
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓（VDS）**: 60V
- **柵源極電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V；2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 0.3A
- **技術(shù)**: 溝槽型工藝
**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例：**
1. **小型電源開關(guān)**：在低功耗和小型電源管理應(yīng)用中，BSS138-7-F-VB 能夠用于高效的電源開關(guān)，適合于空間受限的設(shè)計，如便攜式電子設(shè)備和小型電源模塊。
2. **信號開關(guān)**：在低電流信號開關(guān)和控制電路中，該 MOSFET 可作為信號開關(guān)，適用于小型電子電路中的開關(guān)控制。
3. **過壓保護**：在需要中等電壓保護的應(yīng)用中，BSS138-7-F-VB 可以用作過壓保護裝置，確保電子設(shè)備在過壓條件下的安全性。
