BSS127SSN-7-VB一款Single-N溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

**1. 產(chǎn)品簡介：**

BSS127SSN-7-VB 是一款高耐壓 N-Channel MOSFET，封裝為 SOT23-3。采用 Plannar 技術(shù)，能夠承受高達 650V 的漏極-源極電壓，適合于高電壓和低電流的開關(guān)應(yīng)用。

**2. 詳細參數(shù)說明：**

- **封裝**: SOT23-3
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 8400mΩ（在 VGS=10V 時）
- **漏極電流 (ID)**: 1A
- **技術(shù)**: Plannar

**3. 應(yīng)用領(lǐng)域舉例：**

BSS127SSN-7-VB 適用于高電壓開關(guān)和保護電路，如電源保護、電流限制、電氣隔離和高壓開關(guān)應(yīng)用。由于其高電壓承受能力和適中的導(dǎo)通電阻，這款 MOSFET 適合于需要處理高電壓但電流相對較低的應(yīng)用場景，例如開關(guān)電源和高電壓保護電路。