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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSL307SP-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSL307SP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
BSL307SP-VB 是一款單通道 P 溝道 MOSFET,封裝為 SOT23-6,專(zhuān)為低電壓、高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有 -30V 的漏極-源極耐壓、±20V 的柵極-源極耐壓和 -1.7V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 4.5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下,導(dǎo)通電阻為 54mΩ,在 10V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下為 49mΩ。最大漏極電流可達(dá) -4.8A,采用 Trench 技術(shù),提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。

### 參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: BSL307SP-VB
- **封裝**: SOT23-6
- **配置**: 單通道 P 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: -30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 54mΩ @ VGS = 4.5V
 - 49mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -4.8A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域
BSL307SP-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理**: 在低電壓電源模塊中作為開(kāi)關(guān)元件,控制電源的開(kāi)關(guān)和負(fù)載切換。
- **負(fù)載開(kāi)關(guān)**: 用于便攜式電子設(shè)備和消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)關(guān),處理高電流負(fù)載。
- **電池保護(hù)**: 在電池管理系統(tǒng)中用作電源切換開(kāi)關(guān),保護(hù)電池并提高能效。
- **通信設(shè)備**: 在通信設(shè)備中提供高效的開(kāi)關(guān)控制,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

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