**1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**
BSL211SP-VB 是一款高效能 P-Channel MOSFET，封裝為 SOT23-6。它采用 Trench 技術(shù)，具備低導(dǎo)通電阻和良好的電流處理能力，適合于要求高效能和緊湊設(shè)計(jì)的電子應(yīng)用。
**2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**
- **封裝**: SOT23-6
- **配置**: 單極性 P-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 54mΩ（在 VGS=4.5V 時(shí)）
- 49mΩ（在 VGS=10V 時(shí)）
- **漏極電流 (ID)**: -4.8A
- **技術(shù)**: Trench
**3. 應(yīng)用領(lǐng)域舉例：**
BSL211SP-VB 適用于各種低電壓電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如電池供電設(shè)備、便攜式電子產(chǎn)品、負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源反向保護(hù)電路。其緊湊的封裝和低導(dǎo)通電阻使其在需要高效能和空間限制的設(shè)計(jì)中表現(xiàn)優(yōu)異，特別適合用于需要負(fù)電壓操作的場(chǎng)景。
