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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSC190N12NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSC190N12NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSC190N12NS3 G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用DFN8(5x6)封裝,設(shè)計(jì)用于中高電壓應(yīng)用。此MOSFET 使用Trench技術(shù),能夠在高達(dá)100V的漏極-源極電壓下工作,提供低導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,適合用于需要高效率和高可靠性的功率管理系統(tǒng)。

### 二、詳細(xì)的參數(shù)說明

| 參數(shù)            | 數(shù)值            |
|-----------------|-----------------|
| **封裝類型**     | DFN8(5x6)       |
| **配置**         | 單N溝道         |
| **漏極-源極電壓 (VDS)** | 100V            |
| **柵極-源極電壓 (VGS)** | ±20V            |
| **閾值電壓 (Vth)**       | 1.8V            |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**    | 17mΩ @ VGS=10V  |
| **連續(xù)漏極電流 (ID)**     | 30A             |
| **技術(shù)**         | Trench          |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**
  BSC190N12NS3 G-VB 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)卓越,能夠處理100V的高電壓,低導(dǎo)通電阻有助于提升電源轉(zhuǎn)換效率,減少功率損耗,提高系統(tǒng)的整體性能。

2. **電源管理**
  在電源管理系統(tǒng)中,如電源開關(guān)和電流調(diào)節(jié)應(yīng)用,BSC190N12NS3 G-VB 的高電壓耐受能力和低RDS(ON)使其成為理想的開關(guān)元件,保證系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性。

3. **電動(dòng)汽車**
  在電動(dòng)汽車的電池管理和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,BSC190N12NS3 G-VB 的高電壓承受能力和較低的導(dǎo)通電阻,能夠有效處理電動(dòng)汽車系統(tǒng)中的功率需求,提高其性能和續(xù)航能力。

4. **工業(yè)電機(jī)控制**
  對(duì)于工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng),BSC190N12NS3 G-VB 能夠提供高電流和低導(dǎo)通電阻,適合用于高電壓電機(jī)的啟動(dòng)和控制,確保系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行。

BSC190N12NS3 G-VB 以其高電壓耐受能力和低導(dǎo)通電阻,適用于各種需要高效率和高可靠性的功率管理和電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

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