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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSC052N03LS-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSC052N03LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**BSC052N03LS-VB** 是一款單極性N溝道功率MOSFET,封裝為DFN8(5x6),專為高電流和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和最大±20V的柵極源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為1.7V,具有導(dǎo)通電阻5mΩ(VGS=4.5V)和3mΩ(VGS=10V),最大漏電流可達(dá)120A。MOSFET采用溝槽技術(shù),適用于需要高電流處理和低功耗的電源和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BSC052N03LS-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊

**BSC052N03LS-VB** 功率MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**:在高效電源轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中用作開關(guān)元件,適合需要大電流和低功耗的應(yīng)用,提高系統(tǒng)的能效和穩(wěn)定性。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),能夠處理高電流負(fù)載,適合高功率電機(jī)應(yīng)用,提供穩(wěn)定的電流控制和低熱損耗。

3. **電池管理系統(tǒng)**:在電池保護(hù)和管理系統(tǒng)中用于高電流開關(guān),確保系統(tǒng)的可靠性和安全性,特別適合需要高電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。

4. **功率轉(zhuǎn)換設(shè)備**:在各種功率轉(zhuǎn)換模塊,如逆變器和功率調(diào)節(jié)器中,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和降低能量損耗。

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