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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSC030N04NS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSC030N04NS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

BSC030N04NS G-VB是一款高性能單管N溝道MOSFET,采用DFN8 (5x6)封裝。該MOSFET具備40V的漏極-源極耐壓、20V的柵極-源極耐壓以及3V的門檻電壓。使用Trench技術(shù)制造,具有非常低的導(dǎo)通電阻,適合高電流和高效率的應(yīng)用環(huán)境。

### 參數(shù)說明

- **型號**: BSC030N04NS G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 40V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10V柵極驅(qū)動下: 2mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域

BSC030N04NS G-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源轉(zhuǎn)換**: 由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流能力,非常適合用于高效電源轉(zhuǎn)換器和電流管理系統(tǒng)。
2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 適用于高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件,以提高系統(tǒng)效率并減少功率損耗。
3. **電動汽車**: 用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)和電機驅(qū)動電路中,提供高效的開關(guān)控制。
4. **高功率開關(guān)**: 在高功率開關(guān)電源和電力分配系統(tǒng)中,用于高電流開關(guān)應(yīng)用。

這種MOSFET的高電流能力和低導(dǎo)通電阻,使其在要求高效能和高可靠性的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

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