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      TS3DDR3812 用于 DDR3 應(yīng)用的 12 通道、1:2 MUX/DEMUX 開關(guān)

      數(shù)據(jù)：

      描述

      TS3DDR3812是一款專門針對DDR3應(yīng)用而設(shè)計的12通道，1：2多路復(fù)用器/多路解復(fù)用器開關(guān)。產(chǎn)品采用3至3.6V電源供電，提供低而平坦的導(dǎo)通狀態(tài)電阻以及低I /O電容，從而可實現(xiàn)1.675GHz的典型帶寬。

      通道A 0 至A 11 分為兩個6位組，可通過兩組名為SEL1與SEL2的數(shù)字輸入進行獨立控制。這些選擇輸入可控制每個6位DDR3信號源的開關(guān)位置，使它們能夠準(zhǔn)確發(fā)送至兩個端點中的一個。此外，本開關(guān)還可用于將單個端點與兩個6位DDR3信號源中的一個連接起來。對于12位DDR3信號源的開關(guān)，只需外部連接SEL1與SEL2，便可通過一個單個GPIO輸入控制所有12個通道。一個EN輸入可在不使用時使整個芯片處于高阻抗（Hi-Z）狀態(tài)。

      這些特性使TS3DDR3812成為存儲器，模擬/數(shù)字視頻，局域網(wǎng)（LAN）以及其它

      。高速信號開關(guān)應(yīng)用中的理想選擇

      特性

      • 與DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-3D）兼容
      • 1.675GHz的寬帶寬
      • 低傳播延遲（典型值t pd = 40ps）
      • 低位到位偏斜（典型值t sk（o） = 6ps）
      • 低而平坦的導(dǎo)通電阻
        （典型值r ON =8Ω）
      • 低輸入/輸出電容
        （典型值C ON = 5.6pF）
      • 低串?dāng)_（X TALK = -43dB，
        這是在250MHz時的典型值）
        • < li> 3V至3.6V的V CC 工作范圍
      • 數(shù)據(jù)I /O端口上的軌至軌開關(guān)
        （0至V CC ）
      • 用于上部及下部6通道的分離開關(guān)控制邏輯
      • 專用使能邏輯電路支持高阻抗（Hi-Z）模式
      • I 關(guān)閉保護防止斷電狀態(tài)（V CC = 0V）下的電流泄漏
      • 靜電放電（ESD）性能測試符合JESD22標(biāo)準(zhǔn)
        • 2000V人體模型
          （A114B，II類）
        • 1000V充電器件模型（C101）
      • 42引腳RUA封裝（9mm×3.5mm，0.5mm焊球間距）

      應(yīng)用范圍

      • DDR3信號開關(guān)
      • DIMM模塊
      • 筆記本/臺式機
      • 服務(wù)器

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比 特定于協(xié)議的開關(guān)/多路復(fù)用器

       
      Protocols
      Configuration
      Number of Channels (#)
      VCC (Min) (V)
      VCC (Max) (V)
      Ron (Typ) (Ohms)
      Input/Ouput Voltage (Min) (V)
      Input/Ouput Voltage (Max) (V)
      ICC (Max) (uA)
      Bandwidth (MHz)
      ESD HBM (Typ) (kV)
      Operating Temperature Range (C)
      Package Size: mm2:W x L (PKG)
      Package Group
      Crosstalk (dB)
      ESD Charged Device Model (kV)
      ICC (Typ) (uA)
      Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
      Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
      Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
      OFF-state leakage current (Max) (µA)
      Propagation Delay (ns)
      Ron (Max) (Ohms)
      Ron Channel Match (Max) (?)
      RON Flatness (Typ) (Ohms)
      Turn off Time (Disable) (Max) (ns)
      Turn on Time (Enable) (Max) (ns)
      VIH (Min) (V)
      VIL (Max) (V)
      TS3DDR3812 TS2DDR2811
      DDR3     DDR2    
      2:1 SPDT     1:1 SPST    
      12     8    
      3     3    
      3.6     3.6    
      8     4    
      0     0    
      3.6     3.6    
      400     500    
      1675     1100    
      2     2    
      -40 to 85     -40 to 85    
      42WQFN: 32 mm2: 3.5 x 9(WQFN)     20BGA MICROSTAR JUNIOR: 8 mm2: 3 x 2.5(BGA MICROSTAR JUNIOR)    
      WQFN     BGA MICROSTAR JUNIOR    
      -71      
      1     1    
        250    
      128     128    
      5.6     2.5    
      2     4    
      1      
      0.04     0.04    
      12     6    
      1     1    
      1.5     0.5    
      5     9    
      7     15    
      2     2    
      0.8     0.8    

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1）
      元器件購買 TS3DDR3812 相關(guān)庫存