羅徹斯特電子推出一種可持續(xù)支持成熟微處理器的低密度解決方案

可持續(xù)支持成熟微處理器的低密度解決方案

DDR雙倍數(shù)據(jù)速率技術(shù)是在每個(gè)時(shí)鐘信號(hào)周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)，可以實(shí)現(xiàn)以往同步DRAM設(shè)備傳輸速率的兩倍。DDR3版本于2005年首次推出，并于2007年被廣泛采用，與早期的DDR和DDR2版本相比，性能更強(qiáng)且耗能更低。

隨著技術(shù)的更新迭代，數(shù)據(jù)執(zhí)行速率得到了飛速發(fā)展。盡管成熟微處理器技術(shù)（如NXP的iMX6、QorIQ和PowerQUICC-III）能夠管理數(shù)據(jù)吞吐量，但DRAM的容量限制可能會(huì)帶來(lái)挑戰(zhàn)。

最初，DDR3內(nèi)存提供1GB和2GB的容量，最終發(fā)展到了4GB。從那時(shí)起，Intelligent Memory、Integrated Silicon Solution(ISSI)和其他廣泛使用存儲(chǔ)器的領(lǐng)先供應(yīng)商意識(shí)到擴(kuò)容的必要性，因此出現(xiàn)了 8GB和16GB的產(chǎn)品。這些新增功能支持應(yīng)用程序維護(hù)處理器的現(xiàn)有設(shè)計(jì)，并避免因DRAM容量限制而進(jìn)行重新設(shè)計(jì)。

羅徹斯特電子的承諾是為產(chǎn)品延長(zhǎng)市場(chǎng)壽命，為即將停產(chǎn)和已停產(chǎn)元器件提供授權(quán)供貨渠道和許可生產(chǎn)再制造解決方案。

羅徹斯特電子旨在為全球客戶提供傳統(tǒng)成熟的存儲(chǔ)解決方案。

羅徹斯特電子DDR3存儲(chǔ)解決方案包括：

ISSI：IS43TR1、IS43TR8

長(zhǎng)生命周期應(yīng)用和傳統(tǒng)系統(tǒng)中使用的微處理器仍需要存儲(chǔ)解決方案。羅徹斯特電子DDR3存儲(chǔ)器解決方案確保了成熟微處理器的可持續(xù)供應(yīng)和長(zhǎng)期客戶支持。

可持續(xù)支持DDR3的經(jīng)典處理器包括：

NXP：QorIQ、Layerscape和PowerPC處理器

NXP：PowerQUICC III處理器

Intel：Xeon和Core Solo/Duo處理器