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      NLAS3899 模擬開關 雙DPDT 低RON 低電容

      數據：

      NLAS3899B是一款雙DPDT模擬開關，專為低功耗音頻和雙SIM卡應用而設計。低RON3.0Ω（典型值）非常適合將音頻信號路由到中等阻抗負載或從中等高阻抗負載路由。此外，20 pF（典型值）的低CON使NLAS3899B具有280 MHz的高帶寬，非常適合雙SIM卡應用。
      特性
      • 單一供應運作; 1.65至4.3 VV CC
      • 低導通電阻（3.0 V典型值跨越V CC ）
      • 低C ON （20 pF典型值）
      • 帶寬280 MHz
      • 最大擊穿電壓：5.5 V
      • 低靜態(tài)功率
      • 1.8 V芯片組接口
      應用 終端產品
      • 雙SIM卡數據切換
      • 手機揚聲器/麥克風切換
      • 鈴聲芯片/放大器切換
      • 四個不平衡（單端）開關
      • 智能手機
      • 平板電腦
      • VoIP手機

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術文檔

      數據手冊（1） 相關資料（3）
      元器件購買 NLAS3899 相關庫存