NLAS4599 單SPDT模擬開(kāi)關(guān)單電源

數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)表：低壓?jiǎn)坞娫碨PDT模擬開(kāi)關(guān)

NLAS4599是一款先進(jìn)的高速CMOS單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)，采用硅柵CMOS技術(shù)制造。它實(shí)現(xiàn)了高速傳播延遲和低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持低功耗。該開(kāi)關(guān)控制模擬和數(shù)字電壓，這些電壓可能在整個(gè)電源范圍內(nèi)變化（從V _CC到GND）。

設(shè)備的設(shè)計(jì)使得導(dǎo)通電阻（R <輸入電壓> sub ）比典型CMOS模擬開(kāi)關(guān)的R _ON更低且更線性。

通道選擇輸入與標(biāo)準(zhǔn)CMOS輸出兼容;通過(guò)上拉電阻，它與LSTTL輸出兼容。

無(wú)論電源電壓如何，當(dāng)施加0 V和5.5 V之間的電壓時(shí)，通道選擇輸入結(jié)構(gòu)可提供保護(hù)。此輸入結(jié)構(gòu)有助于防止由電源電壓引起的器件損壞 - 輸入/輸出電壓不匹配，備用電池，熱插拔等。

特性
通道選擇輸入過(guò)壓容忍5.5 V
快速切換和傳播速度
先斷后合電路
低功耗：I _CC = 2 mA（Max），T _A = 25°C
通道選擇輸入提供的二極管保護(hù)
改善線性度并降低ON輸入電壓上的電阻
閂鎖性能超過(guò)300 mA
ESD性能：HBM> 2000 V; MM> 200 V，CDM> 1500 V
芯片復(fù)雜性：38個(gè)FET