的那樣，半導體行業(yè)第四個時代的主旨就是合作。讓我們來仔細看看這個演講的內容。
半導體的第一個時代——IDM
最初，晶體管是在貝爾實驗室發(fā)明的，緊接著，德州儀器 (TI)做出了第一個集成電路。當仙童
2024-03-13 16:52:37
想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
春回大地，萬物勃發(fā)。山西華芯半導體晶體材料產業(yè)基地生產廠區(qū)一派紅火景象：機器轟鳴，流水線高速運轉，全力沖刺一季度“開門紅”。
2024-03-07 15:57:56
196 近期，科技巨頭三星半導體做出了一個引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:14315 在半導體制造領域，我們經常聽到“薄膜制備技術”，“薄膜區(qū)”，“薄膜工藝”等詞匯，那么有厚膜嗎？答案是：有。
2024-02-25 09:47:42237 
？
再者在場效應管這種單極性導電半導體中，為什么只是有一種離子導電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導電，請問這是為什么？同樣對于場效應管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
N型單導體和P型半導體是兩種不同類型的半導體材料，它們具有不同的電子特性和導電能力。
2024-02-06 11:02:18319 
勝科納米（蘇州）股份有限公司（以下簡稱“勝科納米”）作為一家半導體檢測分析廠商，近日在科創(chuàng)板上市的申請獲得了上交所的受理，并已回復審核問詢函。據上交所發(fā)行上市審核官網顯示，勝科納米主要的服務內容包括失效分析、材料分析與可靠性分析，其目標是成為半導體產業(yè)的“芯片全科醫(yī)院”。
2024-02-02 15:52:55573 1納米尺寸的芯片制造面臨著物理極限的挑戰(zhàn)，可能導致晶體管的性能下降甚至失效。作為半導體行業(yè)的重要參與者之一，臺積電已經宣布開始研發(fā)1納米工藝。
2024-01-22 14:18:31232 常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
半導體芯片在作為產品發(fā)布之前要經過測試以篩選出有缺陷的產品。每個芯片必須通過的 “封裝”工藝才能成為完美的半導體產品。封裝主要作用是電氣連接和保護半導體芯片免受元件影響。
2024-01-17 10:28:47250 
半導體工藝的歷史可以追溯到20世紀40年代末至50年代初，當時的科學家們開始使用鍺（Ge）和硅（Si）這類半導體材料來制造晶體管。1947年，貝爾實驗室的威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓發(fā)明
2024-01-15 14:02:37202 研究中，他們提出了一種頂柵互補碳納米管金屬-氧化物-半導體場效應晶體管結構（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該結構中，通過將摻雜僅僅局限在延伸部分，而在通道保持未摻雜的狀態(tài)，憑借這一架構課題組消除了金屬電極的重疊
2024-01-05 16:08:32336 
在晶體生長的過程中，由于某些條件的引入將會導致結構缺陷的生成。
2024-01-05 09:12:33123 
。它們主要包括晶體管(三極管)、存儲單元、二極管、電阻、連線、引腳等。
隨著電子產品越來越“小而精，微薄”，半導體芯片和器件尺寸也日益微小，越來越微細，因此對于分析微納芯片結構的精度要求也越來越高，在芯片
2024-01-02 17:08:51
在經歷了近十年和五個主要節(jié)點以及一系列半節(jié)點之后，半導體制造業(yè)將開始從 FinFET過渡到3nm技術節(jié)點上的全柵堆疊納米片晶體管架構。 相對于FinFET，納米片晶體管通過在相同的電路占位面積中增加
2023-12-26 15:15:11167 
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現出近乎兩倍的性能提升。這一成就預計將帶來多項技術進步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會導致更強大的芯片類別的開發(fā)。
2023-12-26 10:12:55199 對于納米壓印技術，佳能半導體設備業(yè)務部巖本和德介紹道，它是通過將刻有半導體電路圖的掩膜壓制于晶圓之上完成二維或三維電路成型的過程。巖本進一步補充道，若對掩膜進行改良，將有可能實現2nm級別的電路線條寬度。
2023-12-25 14:51:51316 我們看到的半導體晶圓是從一塊完整的半導體大晶體切成出來形成的。
2023-12-25 09:28:21213 
透射電子顯微鏡（TEM）具有卓越的空間分辨率和高靈敏度的元素分析能力，可用于先進半導體技術中亞納米尺寸器件特征的計量和材料表征，比如評估界面細節(jié)、器件結構尺寸以及制造過程中出現的缺陷或瑕疵。
2023-12-18 11:23:58771 
在接下來的一個章節(jié)里面，我們將主要介紹用砂子制備半導體級硅的方法，以及后續(xù)如何將其轉化為晶體和晶圓片(材料制備階段)，以及如何來生產拋光晶圓的過程(晶體生長和晶圓制備)。
2023-12-18 09:30:21217 
【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根據不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發(fā)生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
要聊的就是這個特殊的材料——半導體。半導體幾乎撐起了現代電子技術的全部，二極管，晶體管以及IC都是由半導體材料制成。在可預見的未來，它們是大多數電子系統的關鍵元件，服務于消費和工業(yè)市場的通信、信號處理、計算和控制應用。
2023-12-06 10:12:34599 
薄膜沉積技術主要分為CVD和PVD兩個方向。 PVD主要用來沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類，目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質/半導體薄膜，廣泛用于層間介質層、柵氧化層、鈍化層等工藝。
2023-12-05 10:25:18994 ，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機驅動等功率電子領域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個芯片上，形成一個完整的
2023-12-04 17:00:57682 [半導體前端工藝：第一篇] 計算機、晶體管的問世與半導體
2023-11-29 16:24:59193 
功率半導體有多種類型，我們可以使用它們的應用甚至更多。基本上，所有功率半導體器件都可以分為三類：二極管、晶閘管和晶體管。
2023-11-27 13:24:26239 LSTC 和 Leti 希望建立設計采用 1.4 納米至 1 納米工藝制造的半導體所需的基本技術。制造1納米產品需要不同的晶體管結構，而在該領域，Leti在薄膜沉積和類似技術方面實力雄厚。
2023-11-20 17:14:37750 鍺和硅是兩種基本的半導體。世界上第一個晶體管是由鍺材料制成的，作為固態(tài)電路時代的最初的一個標志。
2023-11-20 10:10:51311 
雙方的目標是，確立設計開發(fā)線寬為1.4m1納米的半導體所必需的基礎技術。這個節(jié)點需要不同于傳統的晶體管結構，leti在該領域的膜形成等關鍵技術上占據優(yōu)勢。
2023-11-17 14:13:43412 半導體材料是制作半導體器件與集成電路的基礎電子材料。隨著技術的發(fā)展以及市場要求的不斷提高，對于半導體材料的要求也越來越高。因此對于半導體材料的測試要求和準確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 對于半導體器件而言熱阻是一個非常重要的參數和指標，是影響半導體性能和穩(wěn)定性的重要因素。如果熱阻過大，那么半導體器件的熱量就無法及時散出，導致半導體器件溫度過高，造成器件性能下降，甚至損壞器件。因此，半導體熱阻測試是必不可少的，納米軟件將帶你了解熱阻測試的方法。
2023-11-08 16:15:28686 
當與電子器件相結合時，紅外光可以在分子水平上使傳感、成像及信號傳輸設備實現小型化和加快速度。為了充分利用紅外光的優(yōu)勢，用于紅外光學和光電應用的材料需要達到無缺陷結晶度。 為了制造與紅外光強烈共振
2023-11-08 09:18:51305 
半導體如今在集成電路、通信系統、照明等領域被廣泛應用，是一種非常重要的材料。在半導體行業(yè)中，半導體測試是特別關鍵的環(huán)節(jié)，以保證半導體器件及產品符合規(guī)定和設計要求，確保其質量和性能。
2023-11-07 16:31:17302 
根據專利摘要，該公開是關于半導體元件及其制造方法的。半導體器件包括電裝效應晶體管。電場效應晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
和硫化物都是半導體。 2、晶體 凡是原子按照一定規(guī)律、連續(xù)整齊地排列著的物體稱為晶體。半導體一般都具有這種結構，所以半導體也被稱為晶體。 3、本征半導體 本征半導體是完全純凈的(不含任何其它元素)、具有晶體結構的半導體。本征半
2023-09-26 11:00:331126 
本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體芯片的制作和半導體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
在本節(jié)中，我們將逐一闡述半導體發(fā)展的歷史性產品和世界主流半導體制程的代際演進過程。從半導體主要制造階段所需主要材料的準備開始，到最終的產品封裝階段，我們將沿著主流的半導體產品類型，半導體晶體管的制造
2023-09-22 10:35:47370 
為什么半導體中的空穴沒有電子的移動速度快？? 半導體中的空穴和電子是半導體中重要的載流子。在半導體材料中，空穴是由于半滿能帶中的電子被激發(fā)而留下的缺陷。這個缺陷可以看做一種正電荷，在電場作用下，空穴
2023-09-21 16:09:441772 在這種情況下，芯片代工公司臺積電于2021年10月宣布在熊本設立工廠。此外，新公司Lapidus于2022年11月宣布計劃在2027年之前量產2納米的邏輯半導體，這些消息引起了日本半導體產業(yè)的廣泛關注。
2023-09-19 17:29:49588 
2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 ▌峰會簡介第五屆意法半導體工業(yè)峰會即將啟程，現我們敬邀您蒞臨現場，直擊智能熱點，共享前沿資訊，通過意法半導體核心技術，推動加快可持續(xù)發(fā)展計劃，實現突破性創(chuàng)新~報名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
半導體封裝是一個關鍵的制程環(huán)節(jié)，對產品性能和可靠性有著重要影響。X射線檢測技術由于其優(yōu)異的無損檢測能力，在半導體封裝檢測中發(fā)揮了重要作用。 檢測半導體封裝中的缺陷 在半導體封裝過程中，由于各種原因
2023-08-29 10:10:45384 半導體有良好的導電性嗎? 半導體是指一類具有介于導體和絕緣體之間的電學特性的物質，其導電性介于金屬導體和非金屬絕緣體之間。半導體材料通常是由含有補償雜質的純凈晶體構成的，補償雜質通過摻雜的方式來改變
2023-08-27 16:05:291029 。具體來說，當半導體材料的電子數目增加時，其導電性也會增加。通常情況下，半導體材料是由純的硅、鍺等元素構成，這些元素的原子具有四個價電子，因此，這些元素結合形成的晶體也具有四價的特性。這種結構使得半導體材料的能帶間隔比金
2023-08-27 16:00:295074 半導體導電的基本特性是什么 半導體是一種電阻介于導體和絕緣體之間的材料，具有一定的導電性能。它們通常由純度高達99.9999%的單一元素或復合元素（例如硅或鍺）制成，并且可以通過控制其內部結構的缺陷
2023-08-27 15:55:231402 特性、場效應管和晶體管的導電特性、半導體材料的應用等。 半導體的能帶結構 半導體的導電特性與其能帶結構有關。根據泡里原理，電子首先填充能量最低的能帶。在半導體中，電子的行為可以通過幾個能帶來描述：價帶、導帶和禁帶
2023-08-27 15:55:201120 p型半導體主要靠什么導電 半導體是當今電子技術中最重要的材料之一，其應用涵蓋了廣泛的領域，從微處理器到太陽能電池板等等。半導體材料被廣泛應用于不同類型的電子元件中，包括二極管、場效應晶體管、三極管
2023-08-27 15:49:062628 半導體的導電特性有哪三種? 半導體是一種介于導體和絕緣體之間的材料，具有特殊的導電特性。在半導體中，電子在晶體中的運動方式和原子結構的特性都對其導電特性產生影響。在本文中，我們將詳細介紹半導體的導電
2023-08-27 15:48:592989 位錯是晶體原子排列的一種特殊組態(tài)。位錯的概念最早是在研究晶體滑移過程時提出來的。當金屬晶體受力發(fā)生塑性變形時，一般是通過滑移過程進行的，即晶體中相鄰兩部分在切應力作用下沿著一定的晶面和晶向相對滑動，滑移的結果是在晶體表面上出現明顯的滑移痕跡——滑移線。
2023-08-25 11:05:035100 
目前BGA封裝技術已廣泛應用于半導體行業(yè)，相較于傳統的TSOP封裝，具有更小體積、更好的散熱性能和電性能。
在BGA封裝的植球工藝階段，需要使用到特殊設計的模具，該模具的開窗口是基于所需的實際焊球
2023-08-21 13:38:06
在半導體制造業(yè)中，薄膜的厚度對器件的性能和質量有重要影響。
2023-08-17 10:15:21528 
、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應用中,二極管發(fā)揮簡單的開關功能,只允許電流向一個方向流動,電極二極管擁有更大的動力、電壓和當前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:32699 
原位拉曼系統實時監(jiān)測半導體薄膜生長全過程前言原位拉曼系統可以實時監(jiān)測半導體薄膜生長全過程，利用共聚焦拉曼光譜的“In-Situ”方式，在石英爐中原位觀察半導體薄膜生長過程，并且通過監(jiān)控不同的生長因素
2023-08-14 10:02:34465 
先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
液相外延是碲鎘汞（MCT）薄膜生長領域最成熟的一種方法，被眾多紅外探測器研究機構和生產商所采用。
2023-08-07 11:10:20733 
金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035041 
半導體激光器工作原理是激勵方式。利用半導體物質，即利用電子在能帶間躍遷發(fā)光，用半導體晶體的解理面形成兩個平行反射鏡面作為反射鏡，組成諧振腔，使光振蕩、反饋、產生光的輻射放大，輸出激光。下面介紹半導體激光器的特點。
2023-07-24 09:40:47897 據資料顯示，微導納米是一家面向全世界的半導體、泛半導體尖端微型納米設備制造企業(yè)。以原子層沉積技術為核心，形成了梯級開發(fā)cvd等多種真空薄膜技術的產品體系。致力于微米級，納米級薄膜設備的開發(fā)，生產和銷售，為下游客戶提供尖端薄膜設備，相關產品和服務。
2023-07-19 09:30:51340 晶體缺陷就是實際晶體中偏離理想結構的不完整區(qū)域。
2023-07-17 10:22:56647 
晶體結構中質點排列的某種不規(guī)則性或不完善性。又稱晶格缺陷。表現為晶體結構中局部范圍內，質點的排布偏離周期性重復的空間格子規(guī)律而出現錯亂的現象。根據錯亂排列的展布范圍,分為下列3種主要類型。
2023-07-14 11:42:251608 
據報道，微美全息（NASDAQ:WIMI）作為領先的技術創(chuàng)新公司，近日成功開發(fā)了一種基于數字全息技術的半導體晶圓缺陷檢測技術，為半導體制造行業(yè)帶來了重要的突破。
2023-07-12 10:58:28425 
砷化鎵是一種半導體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運性能和能帶結構，常用于制造半導體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學應用中具有重要的地位。
2023-07-03 16:07:083873 隨著臺積電的先進工藝技術從 10 納米發(fā)展至 2 納米，臺積電的能源效率在約十年間以 15% 的年復合增長率提升，以支持半導體產業(yè)的驚人成長。
2023-06-28 15:00:001783 
少的情況下實現高精度的檢測呢？目前有兩種方法，一種是小樣本學習，另一種是用GAN。本文將介紹一種GAN用于無缺陷樣本產品表面缺陷檢測。
2023-06-26 09:49:01549 
科友半導體突破了8英寸SiC量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2023年4月，科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產，打破了國際在寬禁帶半導體關鍵材料的限制和封鎖。
2023-06-25 14:47:29342 突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
on Carbon Nanotube Film and Application in Optoelectronic Integration”的綜述文章，該綜述全面介紹了高純度半導體碳納米管的提純和薄膜制備
2023-06-12 17:02:40338 
據麥姆斯咨詢報道，近期，德國卡爾斯魯厄理工學院（KIT）開發(fā)的一種新型3D打印工藝可生產出直接打印到半導體芯片上的納米精細石英玻璃結構。
2023-06-11 09:34:241078 
單元厚度的半導體鈷鐵氧體納米片。并通過振動樣品磁強計、磁力顯微鏡和磁光克爾效應測量，展示了硬磁行為和磁疇演化，顯示出高于390K的居里溫度和強烈的維度效應。超薄晶體中磁性的發(fā)現為探索新的物理現象和開發(fā)下一代自旋電
2023-06-02 07:01:22311 
根據中國集成電路產業(yè)人才白皮書數據來看，目前行業(yè)內從業(yè)人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國內半導體行業(yè)快速發(fā)展的當下，定位、搶奪優(yōu)質人才是企業(yè)未來長期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
中芯國際是中國大陸最大的半導體制造企業(yè)之一，主要業(yè)務是為其他半導體公司生產晶片。暫時中斷28納米芯片的生產擴大，將致力于提高12納米節(jié)點的生產能力。smic的決定是出于經濟上的原因。
2023-06-01 10:50:211485 DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導體缺陷和雜質性質的第一性原理計算模擬軟件包，該軟件包能針對輸入的半導體晶體
2023-05-26 10:49:50386 
DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導體缺陷和雜質性質的第一性原理計算模擬軟件包，該軟件包能針對輸入的半導體晶體結構
2023-05-25 09:17:22596 
半導體材料在開發(fā)納米光子技術方面發(fā)揮著重要作用。
2023-05-14 16:58:55590 
薄膜的質量以及器件的性能，所以碳化硅襯底材料的加工要求晶片表面超光滑，無缺陷，無損傷，表面粗糙度在納米以下。??
2023-05-05 07:15:001154 
第九步退火，離子注入后也會產生一些晶格缺陷，退火是將離子注入后的半導體放在一定溫度下進行加熱，使得注入的粒子擴散，恢復晶體結構，修復缺陷，激活所需要的電學特性。
2023-04-28 09:32:542020 郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創(chuàng)新成果。
2023-04-26 10:21:32718 DDC模塊首先將根據DEC模塊的輸出結果判斷哪些缺陷已經計算完畢，并將這些所有的缺陷全部考慮進DDC的計算。隨后自動搜尋各缺陷輸出的形成能、轉變能級、簡并因子等信息。將所有的數據匯總，寫入 DefectParams.txt 文件中。
2023-04-24 15:09:59929 
試述為什么金屬的電阻溫度系數是正的而半導體的是負的？
2023-04-23 11:27:04
半導體工藝 1.CMOS晶體管是在硅片上制造的 ? 2.平版印刷的過程類似于印刷機 ? 3.每一步，不同的材料被存放或蝕刻 ? 4.通過查看頂部和頂部最容易理解文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁簡化制造中的晶圓截面的過程 ? 逆變器截面?? 要求pMOS晶體管的機身 ? 逆變器掩模組 晶體管
2023-04-20 11:16:00247 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V的光子學特性 編號：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導體納米線已顯示出巨大的潛力光學、光電和電子器件的構建
2023-04-19 10:03:0093 
據悉，由于現有的晶體管的極限已經接近或已經到達了納米級別，因此研究團隊開始尋找新的解決方案。他們選擇了基于異質結構的半導體中的層內和層間激子。這些激子是由激子和光子相互作用形成的新物質，可以在半導體結構內移動。
2023-04-19 09:27:531185 半導體分立器件是由單個半導體晶體管構成的具有獨立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場效應晶體管(結型場效應晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-29 16:59:37404 
應用主要有降低信號電平、源于負載之間的匹配、 元器件隔離保護等應品特點：?采用半導體工藝技術生產，圖形精度高? 寄生參數小、頻率特性穩(wěn)定?尺寸小，重量輕?表面貼裝易于集成產品設計規(guī)范：?電阻類型：TaN
2023-03-28 14:19:17
半導體分立器件是由單個半導體晶體管構成的具有獨立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場效應晶體管(結型場效應晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457 溝道表面的氧化釔薄膜由電子束蒸發(fā)鍍膜儀所蒸鍍的金屬釔加熱氧化形成，隨后在溝道表面蒸鍍金納米薄膜，金納米薄膜會自團聚形成金顆粒，自此完成浮柵型碳納米管場效應晶體管（FG-CNT-FET）的制備以及表面的金納米顆粒修飾。
2023-03-23 11:04:101455
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工商網監(jiān)
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