本人5年工作經(jīng)驗(yàn)，主要負(fù)責(zé)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品開發(fā)相關(guān)工作，工藝方面對(duì)拋光、切割比較精通，使用過NTS/DISCO/HANS等設(shè)備，熟悉設(shè)備參數(shù)設(shè)置，工藝改善等，產(chǎn)品開發(fā)方面熟悉新產(chǎn)品導(dǎo)入流程。目前本人已經(jīng)離職，尋找四川境內(nèi)相關(guān)工作，如有機(jī)會(huì)請(qǐng)與我聯(lián)系：***，謝謝！
2016-10-12 10:11:16
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對(duì)外提供6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)和工藝加工服務(wù)，包括：產(chǎn)品代工、短流程加工、單項(xiàng)工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
光子學(xué)技術(shù)在汽車應(yīng)用中有什么優(yōu)勢(shì)？
2021-05-12 06:45:51
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒有半導(dǎo)體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半導(dǎo)體二極管的I-V特性
2019-10-16 17:32:16
半導(dǎo)體二極管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
半導(dǎo)體發(fā)光二極管工作原理、特性及應(yīng)用是什么？LED的特性是什么？LED顯示器的參數(shù)是什么？LED顯示器的應(yīng)用指南有哪些？
2021-06-08 06:26:19
`半導(dǎo)體器件C-V特性測(cè)試方案交流C-V測(cè)試可以揭示材料的氧化層厚度，晶圓工藝的界面陷阱密度，摻雜濃度，摻雜分布以及載流子壽命等，通常使用交流C-V測(cè)試方式來評(píng)估新工藝，材料， 器件以及電路的質(zhì)量
2019-09-27 14:23:43
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
大家好！ 附件是半導(dǎo)體引線鍵合清洗工藝方案，請(qǐng)參考，謝謝！有問題聯(lián)系我：*** szldqxy@163.com
2010-04-22 12:27:32
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
的防雷器件呢？這就是優(yōu)恩半導(dǎo)體要講的重點(diǎn)了。 首先要掌握各類電子保護(hù)器件的工作原理、特性參數(shù)以及選型標(biāo)準(zhǔn)。優(yōu)恩半導(dǎo)體就以半導(dǎo)體放電管的選型為例，介紹一下怎么選型？ 半導(dǎo)體放電管特性參數(shù)： ①斷態(tài)電壓VRM
2017-03-20 14:45:41
敏感，據(jù)此可以制造各種敏感元件，用于信息轉(zhuǎn)換。 半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯(cuò)密度。禁帶寬度由半導(dǎo)體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價(jià)
2013-01-28 14:58:38
電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù)，為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況，需要測(cè)試材料的電阻率。半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試方法有很多種，其中四探針法具有設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、測(cè)量精度高以及對(duì)樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時(shí)，它們的導(dǎo)電能力 會(huì)顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2017-07-28 10:17:42
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時(shí)，它們的導(dǎo)電能力 會(huì)顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2018-02-11 09:49:21
掙脫束縛，會(huì)導(dǎo)致載流子濃度上升，從而打破這個(gè)平衡，溫度一定后會(huì)再次建立平衡。雜質(zhì)半導(dǎo)體通過擴(kuò)散工藝，在本征半導(dǎo)體摻入某些元素。一 .N型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體加入+5價(jià)元素磷，由于加入了最外層為5個(gè)電子
2020-06-27 08:54:06
以前也知道點(diǎn) 但是現(xiàn)在想系統(tǒng)的學(xué)一下半導(dǎo)體工藝那本書比較好求大神指點(diǎn) 小弟這廂有禮了了
2014-06-04 21:51:19
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
Keithley半導(dǎo)體特性分析研討會(huì)講義Application?Semiconductor device parametric test and process monitor
2009-12-08 14:46:12
NanoIdent Technologies公司開發(fā)了一款有機(jī)半導(dǎo)體光子傳感器。在柔性基底上印制有機(jī)傳感器可用于各種工業(yè)領(lǐng)域，也可用于現(xiàn)有的基于硅片傳感器市場(chǎng)。 NanoIdent有機(jī)光子傳感器
2018-11-20 15:43:46
梁德豐，錢省三，梁靜（上海理工大學(xué)工業(yè)工程研究所/微電子發(fā)展中心，上海 200093）摘要：由于半導(dǎo)體制造工藝過程的復(fù)雜性，一般很難建立其制造模型，不能對(duì)工藝過程狀態(tài)有效地監(jiān)控，所以迫切需要先進(jìn)
2018-08-29 10:28:14
一個(gè)比較經(jīng)典的半導(dǎo)體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機(jī)械拋光工藝開發(fā)編號(hào)：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V族半導(dǎo)體納米線結(jié)構(gòu)的光子學(xué)特性編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技 摘要：III-V 族半導(dǎo)體納米線 (NW) 由于其沿納米線軸對(duì)電子和光子
2021-07-09 10:20:13
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html對(duì)液體和溶液進(jìn)行
2021-07-09 11:30:18
0.000001 至 0.1% 的摻雜劑即可使半導(dǎo)體材料達(dá)到有用的電阻率范圍。半導(dǎo)體的這種特性允許在材料中創(chuàng)建具有非常精確電阻率值的區(qū)域。文章全部詳情，請(qǐng)加V獲?。篽lknch/xzl1019如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-01 09:38:40
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號(hào)：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個(gè)一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：DI-O3水在晶圓表面制備中的應(yīng)用編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：Ga-N 系統(tǒng)的熱力學(xué)分析編號(hào)：JFSJ-21-043作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：純冷凝和氣態(tài)鎵
2021-07-07 10:28:12
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaAs/Al0.4Ga0.6As微加速度計(jì)的設(shè)計(jì)與制作編號(hào)：JFSJ-21-042作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-07 10:22:15
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號(hào)：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html關(guān)鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號(hào)：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào)：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應(yīng)用編號(hào)：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法
2021-07-08 13:09:52
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN的晶體濕化學(xué)蝕刻[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：IC制造工藝編號(hào)：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：InGaP 和 GaAs 在 HCl 中的濕蝕刻編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技關(guān)鍵字：InGaP，濕法蝕刻，蝕刻速率 在H3P04和H202不同含量
2021-07-09 10:23:37
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：n-GaN的電化學(xué)和光刻編號(hào)：JFKJ-21-820作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要 本文利用
2021-10-13 14:43:35
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：微鏡角度依賴性與蝕刻劑選擇編號(hào)：JFKJ-21-047作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html抽象的：在為微光學(xué)創(chuàng)建
2021-07-19 11:03:23
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：用于半導(dǎo)體封裝基板的化學(xué)鍍 Ni-P/Pd/Au編號(hào)：JFSJ-21-077作者：炬豐科技 隨著便攜式電子設(shè)備的普及，BGA（球柵陣列）越來越多地用于安裝在高密度
2021-07-09 10:29:30
清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設(shè)備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關(guān)鍵。去污：可以對(duì)一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進(jìn)行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號(hào)：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
或 Ni 的鹽，Mg、Zn、Ni 的不溶性氫氧化物沉積以防止腐蝕。文章全部詳情，請(qǐng)加V獲?。篽lknch/xzl1019如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-01 09:40:10
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡(jiǎn)介編號(hào)：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據(jù)其導(dǎo)電特性可分為三大類：絕緣體導(dǎo)體半導(dǎo)體
2021-07-09 10:26:01
125、150 或 200 毫米（5、6 或 8 英寸）。然而，未加工的純硅有一個(gè)主要的電氣特性：它是一種絕緣材料。因此，必須通過良好控制的工藝來改變硅的某些特征。這是通過“摻雜”硅獲得的。金屬沉積過程：蝕刻過程：組裝過程描述：文章全部詳情，請(qǐng)加V獲?。篽lknch/xzl1019如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-01 09:34:50
表面上的每個(gè)電子器件（例如晶體管）由具有不同電特性的獨(dú)立層和區(qū)域組成。圖1 - 集成電路中晶體管（特別是 MOSFET）的橫截面。顯示了設(shè)備的大致尺寸；使用當(dāng)前技術(shù)，器件內(nèi)的特征尺寸可以小于 1 mm
2021-07-01 09:37:00
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
模型包括與電路仿真程序鏈接的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的二維有限元仿真模型。然而，這類仿真需要大量的計(jì)算能力，不適合在各種轉(zhuǎn)換器工作條件下評(píng)估大量半導(dǎo)體器件?！ ×硪环N方法是根據(jù)測(cè)量的半導(dǎo)體輸出特性和寄生電容推導(dǎo)出被
2023-02-21 16:01:16
去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。新近以來，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術(shù)已經(jīng)加入了這個(gè)“游戲”。在本文中，按照半導(dǎo)體特性和器件要求，對(duì)可用
2019-07-31 07:43:42
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:14:32
`吉時(shí)利——半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案半導(dǎo)體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等，是組成集成電路的基礎(chǔ)。 直流I-V測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石
2019-10-08 15:41:37
想請(qǐng)教一下，國內(nèi)有妍和江豐兩家半導(dǎo)體靶材（Ti,Niv,Ag）三種靶材的壽命及價(jià)格區(qū)間，12inch wafer！感謝了
2022-09-23 21:40:51
介紹了Ansys有限元軟件在半導(dǎo)體激光器熱特性分析中的應(yīng)用,研究了中紅外InAlAs/InGaAs/InP量子級(jí)聯(lián)激光器在脈沖驅(qū)動(dòng)條件下的穩(wěn)態(tài)熱分布圖,對(duì)比分析了正裝貼片和倒裝貼片型激光器熱特性
2010-05-04 08:04:50
FPGA在系統(tǒng)中表現(xiàn)出的
特性是由芯片制造的
半導(dǎo)體工藝決定的，當(dāng)然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過去，在每一節(jié)點(diǎn)會(huì)改進(jìn)
工藝的各個(gè)方面，每一新器件的最佳
工藝選擇是尺寸最小的最新
工藝?，F(xiàn)在，情況已不再如此?！ ?/div>
2019-09-17 07:40:28
，掌握它們的特性和參數(shù)。本章從討論半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性和PN 結(jié)的單向?qū)щ娦蚤_始，分別介紹二極管、雙極型晶體管、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和半導(dǎo)體光電器件等常用的半導(dǎo)體元器件。喜歡的頂一頂，介紹的非常詳細(xì)哦。。。。[此貼子已經(jīng)被作者于2008-5-24 11:05:21編輯過]
2008-05-24 10:29:38
，而且制程成熟、整合度高，具成本較低之優(yōu)勢(shì)，換言之，SiGe不但可以直接利用半導(dǎo)體現(xiàn)有200mm晶圓制程，達(dá)到高集成度，據(jù)以創(chuàng)造經(jīng)濟(jì)規(guī)模，還有媲美GaAs的高速特性。隨著近來IDM大廠的投入，SiGe技術(shù)
2016-09-15 11:28:41
`60V50A 50N06 惠海半導(dǎo)體 高性能低結(jié)電容SGT工藝N溝道MOS管HG012N06L TO-252封裝 高性能 穩(wěn)定可靠東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司專業(yè)從事DC-DC中低壓MOS管市場(chǎng)，專注
2020-08-29 14:51:46
與固體電子學(xué)或凝聚態(tài)物理學(xué)碩士以上學(xué)歷。 2、熟悉半導(dǎo)體激光器工作原理、對(duì)半導(dǎo)體激光器有較深入的研究，熟悉半導(dǎo)體封裝工藝。 3、英語水平較好，能熟練查閱有關(guān)文獻(xiàn)。 4、分析問題及解決問題的能力較強(qiáng)，動(dòng)手
2015-02-10 13:33:33
問個(gè)菜的問題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來個(gè)人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
本帖最后由 濟(jì)世良駒 于 2016-10-10 22:31 編輯
第一講 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體。2、常見
2016-10-07 22:07:14
光子集成電路(PIC)是一項(xiàng)新興技術(shù)，它基于晶態(tài)半導(dǎo)體晶圓集成有源和無源光子電路與單個(gè)微芯片上的電子元件。硅光子是實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展性、低成本優(yōu)勢(shì)和功能集成性的首選平臺(tái)。采用該技術(shù)，輔以必要的專業(yè)知識(shí)，可
2017-11-02 10:25:07
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測(cè)量
一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?
1、了解半導(dǎo)體特性圖示儀的基本原理
2、學(xué)習(xí)使用半導(dǎo)體特性圖示儀測(cè)量晶體管的
2010-10-29 17:09:12
33 III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半導(dǎo)體;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS號(hào)：
2010-03-04 12:16:16
3788 阿爾卡特朗訊貝爾實(shí)驗(yàn)室、Thales與CEA-Letu日前聯(lián)合宣布，CEA-Leti已加入III-V實(shí)驗(yàn)室，增強(qiáng)研發(fā)中心的產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力，該實(shí)驗(yàn)室居于全歐洲III-V半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域的最前沿
2011-04-09 09:41:201003 晶元光電總經(jīng)理周銘俊博士在“上游芯片技術(shù)創(chuàng)造下游應(yīng)用新局面”發(fā)表了題為《實(shí)現(xiàn)III-V光電創(chuàng)新，推動(dòng)未來智能生活》的主題演講。
2018-06-14 15:36:133885 本文首先闡述了半導(dǎo)體導(dǎo)電特性，其次介紹了本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性，最后介紹了雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
2018-09-25 17:50:2328444 半導(dǎo)體工藝化學(xué)原理。
2021-03-19 17:07:23111 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號(hào)：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝?；?b class="flag-6" style="color: red">III-V半導(dǎo)體的器件，?這項(xiàng)工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00130 
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開發(fā) 編號(hào)：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)
2023-04-18 10:05:00151 
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅光子集成芯片的耦合策略編號(hào)：JFKJ-21-545作者：炬豐科技摘要硅光子學(xué)最有吸引力的一個(gè)方面是它能夠提供極小的光學(xué)元件，其典型尺寸比光纖器件的尺寸小一個(gè)數(shù)
2021-12-17 18:41:4513 和光隔離器等。 從產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大趨勢(shì)來看，未來光通信器件將主要以光集成技術(shù)(PIC)為核心，其中一大分支技術(shù)是基于III-V簇化合物半導(dǎo)體材料的光集成技術(shù)。通過硅光子學(xué) (SiPho)技術(shù)，業(yè)界能夠?qū)鹘y(tǒng)用于CMOS集成電路上的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)轉(zhuǎn)移到光通信器件上。
2022-01-01 11:03:332029 ，這些問題變得更加重要。在本文中，我們提出了一種濕式微溝蝕刻工藝，允許單個(gè)太陽能電池的電隔離而不損害側(cè)壁。用溴-甲醇蝕刻，通常用于III-V化合物的非選擇性蝕刻的溶液，會(huì)在半導(dǎo)體表面形成不必要的蝕孔。我們研究了空穴形成的
2022-01-21 13:33:01427 
摘要 III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)。二乙烯基硅氧烷-雙苯并環(huán)丁烯(簡(jiǎn)稱DVS-BCB或BCB)是作為一種技術(shù)出現(xiàn)適合在工業(yè)規(guī)模上實(shí)現(xiàn)這樣的集成。耦合為這些混合器
2022-02-24 14:02:481357 
摘要 本文主要研究集成光子的制備工藝?；?b class="flag-6" style="color: red">III-V半導(dǎo)體的器件， 這項(xiàng)工作涵蓋了一系列III-V材料以及各種各樣的設(shè)備。 最初，設(shè)計(jì)，制造和光學(xué)表征研究了鋁砷化鎵波導(dǎo)增強(qiáng)光學(xué)非線性
2022-02-24 14:55:40950 
半導(dǎo)體。例如，砷化鎵(GaAs)是二元III-V化合物，它是第三列的鎵(Ga)和第五列的砷(As)的組合。三元化
合物可以由三個(gè)不同列的元素形成，例如，碲化汞銦(HgIn 2 Te 4)，一種II-III-VI化合物。它們也可以由兩列中的元素形成，例如砷化鋁鎵
(Al xGa 1- xAs)，這是
2023-02-27 14:46:243 半導(dǎo)體材料在開發(fā)納米光子技術(shù)方面發(fā)揮著重要作用。
2023-05-14 16:58:55590 
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