如下硅與石墨復(fù)配的負(fù)極材料的背散SEM，圓圈標(biāo)的地方是硅嗎？如果不是還請(qǐng)大佬指點(diǎn)一下，那些位置是硅？
2024-03-12 08:53:37
襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:41
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預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資總額3.5億元人民幣，將引進(jìn)碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計(jì)116套。其中包括一條具備24萬(wàn)片年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線。
2024-02-29 16:24:01216 想問(wèn)下硅碳/石墨復(fù)配負(fù)極300cls滿充拆解中間黑色的區(qū)域是什么？是什么原因?qū)е缕湫纬傻?
2024-02-29 13:48:15
上海合晶硅材料股份有限公司（簡(jiǎn)稱“上海合晶”，股票代碼：688584）近期在科創(chuàng)板成功上市，成為半導(dǎo)體行業(yè)的新星。該公司專注于半導(dǎo)體硅外延片的研發(fā)與生產(chǎn)，以其卓越的產(chǎn)品質(zhì)量和創(chuàng)新的工藝技術(shù)在市場(chǎng)上樹(shù)立了良好的口碑。
2024-02-26 11:20:08310 只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開(kāi)發(fā)了薄層單晶材料生長(zhǎng)技外延生長(zhǎng)。那外延技術(shù)到底對(duì)材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢？
2024-02-23 11:43:59300 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下，進(jìn)行材料外延技術(shù)，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10958 
探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
2024-01-08 09:35:41623 
近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 是一款高度集成的硅四核雙極化 IC，適用于 5G 相控陣應(yīng)用。該 IC 具有八個(gè)天線端口，可連接到四個(gè)雙極化天線元件，以支持相控陣中的水平和垂直極化。兩個(gè)公共端口（每
2024-01-02 13:37:24
AWMF-0200 26-30 GHz 雙極化四路 4x2 波束形成器 IC?如有需求歡迎聯(lián)系 AWMF-0200 是一款高度集成的硅四核雙極化 IC，適用于 5G 相控陣
2024-01-02 13:34:59
平面波的極化被定義為在一個(gè)固定點(diǎn)處瞬時(shí)電場(chǎng)的軌跡圖，是描述天線輻射電磁波矢量空間指向的參數(shù)。雷達(dá)和通信中最常遇到的極化方式有：線極化(垂直/水平)，圓極化(左旋/右旋)和橢圓極化(左旋/右旋)。天線在給定方向處的極化定義為天線在那個(gè)方向上所輻射的波的極化。
2023-12-22 10:34:36794 
最近在搞一個(gè)項(xiàng)目，采用兩片AD2S1210對(duì)雙通道旋變器進(jìn)行解碼，遇到一個(gè)很奇特的問(wèn)題，請(qǐng)各位大神幫忙看下
問(wèn)題描述：
1、 采用兩片AD2S1210解碼芯片分別對(duì)旋變的粗機(jī)和精機(jī)進(jìn)行解碼，發(fā)現(xiàn)
2023-12-21 06:42:05
碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工，需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53605 
我目前的方案中用到兩片AD5755-1，現(xiàn)在在設(shè)計(jì)電路時(shí)我關(guān)于器件的地址有個(gè)疑問(wèn)，AD0和AD1手冊(cè)中說(shuō)是器件的地址，但是SPI接口器件不是有片選引腳（SYNC)嗎？請(qǐng)問(wèn)兩片AD5755-1能否共用SYNC這個(gè)引腳？
2023-12-15 08:14:12
您好，
我們有兩片AD9613需要同時(shí)采樣，怎么使用SYNC管腳？
如果給兩片ADC一個(gè)同步信號(hào)，兩片ADC的DCO相位是否是一樣的？
謝謝！
2023-12-15 06:14:14
現(xiàn)使用兩片AD9739做同步，按照datasheet（rev.c）page48方式配置，寄存器回讀值都正常，但是每次上電兩片的輸出相位不固定，請(qǐng)問(wèn)是什么原因造成的？
現(xiàn)在嘗試的方法：
1. 兩片
2023-12-13 06:16:36
近期市場(chǎng)傳出為緩解產(chǎn)能利用率下滑，多家晶圓代工廠商下調(diào)價(jià)格的消息。
2023-12-08 10:16:36240 1.現(xiàn)在我需要使用兩片AD9765同步輸出4個(gè)電流。兩片AD9765的WRT和CLK信號(hào)可共用嗎？即兩片的WRT1/CLK1和WRT2/CLK2 共同使用配置信號(hào)WRT/CLK，而不是分別接WRT1
2023-12-08 06:37:39
概念股同步大漲，有分析師認(rèn)為繼比特幣價(jià)格刷新紀(jì)錄后勁頭不減，市場(chǎng)再次躍動(dòng)著活力四溢的氣息。投資者近期對(duì)美國(guó)可能實(shí)施降息的預(yù)期強(qiáng)烈，交易者更是看好美國(guó)股市上可能出現(xiàn)的比特幣交易產(chǎn)品。 同時(shí)也有交易商押注美國(guó)股市交易型比特幣基金即將獲批。這
2023-12-05 09:24:002426 ，跳線帽斷開(kāi)，這樣第一片ADC的基準(zhǔn)電壓可以輸入到第二片中；
2. 兩片都禁用內(nèi)部基準(zhǔn)，跳線帽連接，這樣兩片ADC都使用外部基準(zhǔn)。
我想問(wèn)的是，如果這時(shí)候?qū)?b class="flag-6" style="color: red">兩片7606都設(shè)置成啟用內(nèi)部基準(zhǔn)，那么會(huì)出現(xiàn)故障嗎？（由于他們的REFIN/REFOUT依舊連在一起）。
謝謝
2023-12-04 06:10:08
天線的圓
極化概念 八木天線如何實(shí)現(xiàn)圓
極化？ 天線的
極化是指電磁波的電場(chǎng)矢量或者磁場(chǎng)矢量的方向。常見(jiàn)的天線
極化有水平
極化、垂直
極化以及圓
極化。在無(wú)線通信中，圓
極化有著廣泛的應(yīng)用，因?yàn)樗軌蛱峁└?/div>
2023-11-28 15:45:16780 談到電磁波，除了頻率和幅度之外，還有一個(gè)比較重要的方面就是：極化。極化，就是指波振動(dòng)的平面，電磁波的傳播是由相互垂直的電場(chǎng)和磁場(chǎng)產(chǎn)生的。因此存在電場(chǎng)和磁場(chǎng)兩個(gè)相互垂直的振蕩平面，所以呢，我們定義電場(chǎng)
2023-11-24 10:11:28208 
由于出口疲軟和不佳的市場(chǎng)氣氛，中國(guó)光伏模塊價(jià)格連續(xù)四周下跌，中國(guó)光伏模塊市場(chǎng)（CMM）價(jià)位及TOPCon模塊價(jià)格再度觸及歷史最低。其中，中國(guó)光伏模塊價(jià)位下跌幅度創(chuàng)下兩個(gè)多月以來(lái)的新高，下跌5.8%，預(yù)期價(jià)格還將持續(xù)走低。
2023-11-23 13:56:59170 
半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢？外延層的存在有何意義？ 半導(dǎo)體器件往往由襯底和外延層組成，這兩個(gè)部分在制造過(guò)程中起著重要的作用，并且在器件的性能和功能方面具有重要意義。 首先，襯底是半導(dǎo)體
2023-11-22 17:21:281504 半導(dǎo)體的外延片和晶圓的區(qū)別？ 半導(dǎo)體的外延片和晶圓都是用于制造集成電路的基礎(chǔ)材料，它們之間有一些區(qū)別和聯(lián)系。在下面的文章中，我將詳細(xì)解釋這兩者之間的差異和相關(guān)信息。 首先，讓我們來(lái)了解一下
2023-11-22 17:21:252329 紫金山觀察消息顯示，該項(xiàng)目一期投資19.3億元，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)估新增年收入25億元，將形成8-12英寸硅外延片456萬(wàn)片/年，6-8英寸化合物外延片12.6萬(wàn)片/年的生產(chǎn)能力，支撐開(kāi)展大尺寸硅外延和化合物外延研發(fā)以及產(chǎn)業(yè)化，擴(kuò)大在高端功率器件、集成電路等應(yīng)用領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
2023-11-14 15:44:12378 通常情況下為了更好的接收 GNSS 信號(hào)，導(dǎo)航定位天線需要設(shè)計(jì)成圓極化天線。天線要實(shí)現(xiàn)圓極化輻射特性，在輻射陣子、天線基材、饋電方式等方面有諸多嚴(yán)苛的要求，這也是導(dǎo)航定位天線尺寸很難做小的原因
2023-11-09 16:34:26730 使用PWM控制可控硅調(diào)光白熾燈，卻出現(xiàn)”吱吱“的響聲，怎么去除這種噪音，誰(shuí)遇到過(guò)類似的問(wèn)題，你們是如何解決的?
2023-11-08 06:32:17
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED外延芯片工藝流程及晶片分類.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 09:42:54
0 近期，碳酸鋰價(jià)格再次出現(xiàn)回調(diào)。
2023-10-31 10:48:35369 HVPE主要是利用生長(zhǎng)過(guò)程中的化學(xué)反應(yīng)，如歧化反應(yīng)、化學(xué)還原反應(yīng)以及熱分解反應(yīng)等實(shí)現(xiàn)外延晶體薄膜的制備，具有生長(zhǎng)溫度高、源爐通氣量大、生長(zhǎng)速率大的特點(diǎn)，一般用來(lái)制備厚膜以及自支撐襯底，如GaN、AlN等。
2023-10-22 10:41:081211 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種工作于X波段的彈載寬帶圓極化四元陣設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-19 11:50:010 提出了一種工作在 S 波段和 C 波段的寬頻透射型線－圓極化波轉(zhuǎn)換器， 其由五層超表面級(jí)聯(lián)而成。
2023-10-18 10:05:59490 
通過(guò)改變饋電位置來(lái)控制模式權(quán)重系數(shù)，進(jìn)而決定了天線帶寬和極化?；趩螌覷槽貼片的模式分析結(jié)果，將貼片劃分成5個(gè)饋電區(qū)域。
2023-09-29 07:20:00252 
”，而轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體。在未被擊穿之前，絕緣介質(zhì)也不是絕對(duì)不導(dǎo)電的物體。如果在絕緣介質(zhì)兩端施加電壓，材料中將會(huì)出現(xiàn)微弱的電流。絕緣介質(zhì)在電場(chǎng)作用下的物理現(xiàn)象主要有極化、電導(dǎo)、損耗和擊穿 3、作用 絕緣介質(zhì)在變壓器、電纜等其他設(shè)備
2023-09-28 11:37:08834 此外，研磨技術(shù)的缺點(diǎn)還有統(tǒng)一性不高，多片加工時(shí)對(duì)外延片的厚度的組合比較苛刻，并且加工效率較低。如果將研磨后的外延片再進(jìn)行CMP處理，則需要較長(zhǎng)的時(shí)間才能去除掉損傷層。并且由于襯底的厚度不同，外延的厚度也不同，因此每一片外延片的減薄要求也不同，整體加工效率較低。
2023-09-27 16:35:43430 
紅外測(cè)量，傳感器，PT333-3B是一種高速高靈敏的NPN硅材料NPN外延平面光電晶體管在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的5毫米封裝成型。由于是黑色環(huán)氧樹(shù)脂，該設(shè)備對(duì)可見(jiàn)光和近可見(jiàn)光敏感紅外線輻射。
2023-09-27 06:45:30
在《天線基礎(chǔ)理論》一文中，我們?cè)敿?xì)介紹了天線的基本理論，里面提到了天線極化的這個(gè)概念。關(guān)于電磁波的極化，我們?cè)凇峨姶挪?b class="flag-6" style="color: red">極化》一文中詳細(xì)進(jìn)行了描述，并且整理了一些生動(dòng)形象的圖片說(shuō)明。在實(shí)際應(yīng)用中，電磁波是由天線發(fā)出的，因此電磁波的極化也就是天線的極化。
2023-09-19 15:37:021200 
近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:44737 在實(shí)際應(yīng)用中，有效的操控極化激元給納米光子器件、亞波長(zhǎng)成像、異常折射等領(lǐng)域帶來(lái)了巨大的發(fā)展前景而廣受關(guān)注，但傳統(tǒng)介質(zhì)材料中的極化激元的調(diào)控靈活度相對(duì)較低，不能滿足現(xiàn)實(shí)的廣闊需要成為具有挑戰(zhàn)性的難題
2023-08-28 09:14:26352 
的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類型的損耗：傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。 功率晶體管是開(kāi)關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失，GaN 晶體管（取代舊的硅技術(shù)）的開(kāi)發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注
2023-08-21 17:06:18
談到電磁波，除了頻率和幅度之外，還有一個(gè)比較重要的方面就是：極化。極化，就是指波振動(dòng)的平面，電磁波的傳播是由相互垂直的電場(chǎng)和磁場(chǎng)產(chǎn)生的。因此存在電場(chǎng)和磁場(chǎng)兩個(gè)相互垂直的振蕩平面，所以呢，我們定義電場(chǎng)
2023-08-18 10:38:001071 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341001 
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中，襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延膜生長(zhǎng)的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31663 
液相外延是碲鎘汞（MCT）薄膜生長(zhǎng)領(lǐng)域最成熟的一種方法，被眾多紅外探測(cè)器研究機(jī)構(gòu)和生產(chǎn)商所采用。
2023-08-07 11:10:20733 
對(duì)于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測(cè)量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會(huì)出現(xiàn)反映外延層厚度信息的連續(xù)干涉條紋。
2023-08-05 10:31:47913 
的挑戰(zhàn)。 然而，近期出現(xiàn)了一些積極跡象。主要DRAM制造商，例如三星、SK海力士和美光相繼宣布減產(chǎn)，有針對(duì)性地緩解了供應(yīng)過(guò)剩的問(wèn)題。這一舉措使得DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)了觸底反彈的跡象，報(bào)價(jià)連續(xù)兩個(gè)月保持持平，這在過(guò)去一年多以來(lái)尚屬首次。 根據(jù)《
2023-08-03 15:18:57841 碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03286 
，多晶硅企業(yè)話語(yǔ)權(quán)加強(qiáng)，部分優(yōu)質(zhì)料價(jià)格甚至出現(xiàn)反彈，市場(chǎng)預(yù)期價(jià)格小幅上升。 硅片 本周國(guó)內(nèi)單晶硅片182mm主流成交價(jià)格2.80-2.93元/片，單晶硅片210mm主流成交價(jià)格3.77-4.07元/片，國(guó)內(nèi)硅片價(jià)格小幅反彈。 主要原因在于國(guó)內(nèi)龍頭拉晶企業(yè)出現(xiàn)高于此前市
2023-07-14 16:15:57191 金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩個(gè)方面對(duì)異質(zhì)外延單晶金剛石的發(fā)展進(jìn)行了闡述。
2023-07-12 15:22:23839 
用 RAPIDS 生成用于加速短期價(jià)格預(yù)測(cè)的限價(jià)訂單簿數(shù)據(jù)集
2023-07-05 16:30:29315 
鐵電材料是一類具有特殊電學(xué)性質(zhì)的材料，在現(xiàn)代電子技術(shù)和器件中具有廣泛的應(yīng)用。鐵電材料的極化是其重要的特征之一，極化測(cè)試是評(píng)估鐵電材料性能的關(guān)鍵方法之一。一般鐵電極化測(cè)試，是通過(guò)根據(jù)外電場(chǎng)施加的電壓
2023-06-30 17:15:25274 
隨著衛(wèi)星導(dǎo)航的迅速發(fā)展，人們對(duì)天線的性能也提出了更高的要求，如接收?qǐng)A極化信號(hào)并且滿足頻帶需求的特性。此外，根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，還需要考慮設(shè)計(jì)小型化、寬帶化的天線。本文主要一款寬波束左旋圓極化的印刷
2023-06-30 10:25:201802 
成像雷達(dá)系統(tǒng)通常發(fā)射平面極化雷達(dá)脈沖。與這種脈沖相關(guān)的電場(chǎng)在垂直于波傳播方向的單一平面內(nèi)振蕩。最常見(jiàn)的極化模式是發(fā)射和接收水平極化信號(hào)(指定為HH模式，第一個(gè)字母表示發(fā)射的極化)。 有些系統(tǒng)發(fā)射
2023-06-27 11:25:402045 
當(dāng)極化雷達(dá)脈沖被土壤或巖石等材料的粗糙表面散射時(shí)(表面散射)，返回天線的大部分散射能量與發(fā)射脈沖具有相同的極化。但是當(dāng)脈沖擊中植物時(shí)，它會(huì)不同程度地穿透(取決于波長(zhǎng))，并與樹(shù)葉、細(xì)枝和樹(shù)干分枝發(fā)生多次碰撞，產(chǎn)生許多散射活動(dòng)。
2023-06-27 11:24:49696 
和高質(zhì)量的晶體管，它們都需要用到外延晶片。在本文中，我們將介紹這種在晶圓之上由超純硅構(gòu)成的超高純層(也被稱為“外延層)的形成過(guò)程、用途和特征。
2023-06-26 10:05:29417 
一步促進(jìn)了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的激烈化。 LED直顯產(chǎn)品“價(jià)格兩極化” 目前，LED直顯產(chǎn)品中“大眾產(chǎn)品和J端產(chǎn)品的價(jià)格走勢(shì)正在加速分化”，呈現(xiàn)出市場(chǎng)發(fā)展的不平衡格局。 一方面，P1.2及其以上間距指標(biāo)的LED直顯產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)走低。P1.2 產(chǎn)品每平米價(jià)格已經(jīng)下降到
2023-06-26 09:24:12276 
我就會(huì)這樣想啊，那既然圓極化可以由兩個(gè)有相位差的線極化疊加得到。那我就把圓極化分解成兩個(gè)線極化唄，一個(gè)水平極化，一個(gè)垂直極化。
2023-06-19 15:51:46679 
同樣，水平極化天線，就是指波的方向是水平的，也就是說(shuō)其發(fā)射的波的電場(chǎng)方向，與大地平行。
2023-06-19 11:18:398029 
SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長(zhǎng)速度適中、過(guò)程可自動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn)，是生長(zhǎng)用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644 
由于GaN在高溫生長(zhǎng)時(shí)N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過(guò)幾十年的不斷研究，并不斷嘗試?yán)貌煌?b class="flag-6" style="color: red">外延生長(zhǎng)方法在Si
2023-06-10 09:43:44681 多晶硅 晶7元/千克，多晶硅致密料主流價(jià)格110-123元/千克，多晶硅價(jià)格指數(shù)106.23元/千克。 多晶硅價(jià)格再度走跌，多晶硅庫(kù)存持續(xù)走高目前已經(jīng)逼近13萬(wàn)大關(guān)，硅片價(jià)格的走跌一定程度加速
2023-06-05 09:53:13918 外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092818 
近期，電池級(jí)碳酸鋰均報(bào)價(jià)沖破30萬(wàn)元/噸，再次引發(fā)原材料價(jià)格上漲擔(dān)憂。
2023-05-30 09:38:14544 前幾天在知乎上回答了一個(gè)關(guān)于天線極化的問(wèn)題，這些都是天線領(lǐng)域的最基本的概念，但是寫出來(lái)的時(shí)候，很多東西又是捉摸不透，天線的極化歸根到底是電磁波的極化。
2023-05-29 10:50:39288 
交叉極化：MIMO天線之間的交叉極化是指在多個(gè)天線同時(shí)工作時(shí)，天線之間由于極化方向不同而產(chǎn)生的干擾。交叉極化通常用極化交叉損耗（Polarization Cross-Polarization Loss，XPOL）來(lái)描述，XPOL越大，交叉極化干擾越小。
2023-05-19 18:04:301218 在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 09:06:462459 
導(dǎo)致條形液晶屏價(jià)格出現(xiàn)變動(dòng)的因素有哪些? 目前市場(chǎng)上條形液晶屏產(chǎn)品也種類繁多，不同廠家的產(chǎn)品有的價(jià)格差異還比較大，這對(duì)于消費(fèi)者非常頭痛，不知道如何分辨和挑選的。因?yàn)楦鱾€(gè)廠家在生產(chǎn)條形液晶屏價(jià)格定位
2023-05-18 18:28:07323 前面的文章我們已經(jīng)討論了天線的兩個(gè)重要參數(shù)：方向圖和饋電點(diǎn)阻抗。天線的第三個(gè)重要參數(shù)是極化。天線的極化是以天線輻射最大方向的電磁波中電場(chǎng)方向來(lái)定義的。
例如，一副水平架設(shè)在地面上方的半波偶極
2023-05-15 17:12:14
從保障外延片品質(zhì)入手，提升Micro LED生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本外，應(yīng)用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的LED行業(yè)普遍在4英寸，而Micro LED的生產(chǎn)工藝會(huì)擴(kuò)大到6乃至8英寸，更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。
2023-05-10 09:50:04542 FPGA系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，如果用兩個(gè)FPGA工作，應(yīng)該如何設(shè)計(jì)兩片之間的通信？從片的配置和時(shí)鐘輸入與主片有何不同？一個(gè)做主片用于數(shù)據(jù)處理和控制，一個(gè)做從片用于IO擴(kuò)展。硬件和軟件上應(yīng)該如何設(shè)計(jì)兩片之間
2023-05-08 17:18:25
個(gè)天線振子在一個(gè)單元內(nèi)，形成兩個(gè)獨(dú)立波。
總的來(lái)說(shuō)：
線極化：沿著電磁場(chǎng)傳播方向看，電場(chǎng)矢量始終沿著一條線不停地變化；舉一個(gè)例子，小時(shí)候玩的繩子，上下擺，繩子傳遞的波就是線極化
2023-05-08 17:02:50
系統(tǒng)中。應(yīng)用雙極化天線可以減少基站所需的天線數(shù)量，節(jié)約天線設(shè)計(jì)所需的空間資源，并滿足人們?nèi)找嬖鲩L(zhǎng)的流量需求。在評(píng)估雙極化天線性能時(shí)，端口隔離是一個(gè)關(guān)鍵因素。然而，隨著新一代通信系統(tǒng)容量的增加、用戶數(shù)量的增多和耦合場(chǎng)景的復(fù)雜化等因素的出現(xiàn)，傳統(tǒng)的雙極化天線設(shè)計(jì)難以滿足隔離度要求。
2023-05-04 18:00:532145 
交叉極化干擾是一種自衛(wèi)技術(shù)，包含交叉極化干擾信號(hào)的產(chǎn)生。這種干擾技術(shù)能夠使單脈沖雷達(dá)失去對(duì)目標(biāo)的角跟蹤。任何在天線中具有前向幾何結(jié)構(gòu)(如拋物面碟形反射器)的雷達(dá)，其交叉極化波瓣的方向與雷達(dá)的視向相反，如圖1所示。
2023-04-26 15:03:561275 
一個(gè)做主片用于數(shù)據(jù)處理和控制，一個(gè)做從片用于IO擴(kuò)展。硬件和軟件上應(yīng)該如何設(shè)計(jì)兩片之間的通信？從片的配置和時(shí)鐘輸入與主片有何不同？可以共用配置芯片么？還是需要獨(dú)立的配置？提供相關(guān)的論文名稱也可以
2023-04-23 11:31:45
極化繼電器是指由極化磁場(chǎng)與控制電流通過(guò)控制線圈所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的綜合作用而動(dòng)作的繼電器。其極化磁場(chǎng)一般由磁鋼或通直流的極化線圈產(chǎn)生；繼電器銜鐵的吸動(dòng)方向取決于控制繞組中流過(guò)的電流方向。在自動(dòng)裝置、遙控
2023-04-21 14:49:470 隨著科技的不斷發(fā)展和創(chuàng)新，觸摸屏已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ詈凸ぷ髦斜夭豢缮俚囊徊糠帧Ｅc此同時(shí)，越來(lái)越多的人開(kāi)始了解和使用定制觸摸屏，以滿足不同場(chǎng)合和需求的個(gè)性化需求。那么，定制觸摸屏的價(jià)格究竟如何呢？首先
2023-04-11 11:23:35
如圖所示：1.單片機(jī)給IO口發(fā)送一個(gè)高電平后光耦3063會(huì)立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過(guò)零點(diǎn)導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過(guò)零點(diǎn)導(dǎo)通，是否可以認(rèn)為可控硅兩端的電壓為零，此時(shí)可控硅不導(dǎo)通，那如果是這樣請(qǐng)問(wèn)這個(gè)電路可控硅是何時(shí)導(dǎo)通的，又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控硅T2和G極之間的電壓為多少，怎么理解
2023-04-10 21:59:00
npn管pnp管可控硅(晶閘管)的三個(gè)腳接了有何用啊我的意思是比如給pnp的n硅的腳加正電，那兩個(gè)p是段路還是干嘛。。。。交流電用4個(gè)二極管搞成直流再鋁解電容不就行了嗎？？，要兩個(gè)3級(jí)管搞什么，那兩個(gè)是什么管啊呀
2023-04-04 11:30:22
在鋰離子電池充放電過(guò)程中，其正負(fù)兩極都發(fā)生了電化學(xué)反應(yīng)，使兩個(gè)極板之間的電位互相向?qū)Ψ狡疲@就是電化學(xué)極化現(xiàn)象。
2023-04-01 10:53:5712697 、兩極化的 挑戰(zhàn)， 了解到視頻從產(chǎn)生到播放，中間經(jīng)歷 的 復(fù)雜流程，也牽扯紛繁復(fù)雜的利益相關(guān)人，所以在視頻內(nèi)容編解碼方面，存在著各方利益的博弈。各大組織、企業(yè)都有在視頻編解碼上投入，致力于爭(zhēng)奪技術(shù)和專利上的制高點(diǎn)。 本期，我們就聊聊 超高清視頻編解碼的現(xiàn)狀。
2023-03-28 03:15:05793 
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