臺(tái)積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個(gè)時(shí)代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動(dòng)蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會(huì)引起我的注意。正如臺(tái)積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
近日，世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織（WIPO）公布了2023年全球PCT國(guó)際專利申請(qǐng)排名，中國(guó)以顯著優(yōu)勢(shì)繼續(xù)領(lǐng)跑全球，其中，半導(dǎo)體顯示領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)京東方以1988件PCT專利申請(qǐng)量位列全球第五，成為該榜單
2024-03-11 09:46:31
68 想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
WitDisplay消息，3月6日，兆馳股份官微發(fā)布嚴(yán)正聲明：近期，有關(guān)媒體發(fā)表了題為《雷曼光電就Micro LED顯示專利起訴兆馳股份》等文章，報(bào)道提及兆馳股份(以下簡(jiǎn)稱“公司”)未經(jīng)授權(quán)對(duì)雷曼光電在中國(guó)及海外獲得的2件新型顯示專利實(shí)施了侵權(quán)行為。
2024-03-06 17:28:03561 
2023年12月，雷曼光電已在深圳市中級(jí)人民法院對(duì)兆馳股份旗下多家公司提起專利侵權(quán)訴訟，就兆馳股份旗下公司涉嫌未經(jīng)授權(quán)對(duì)雷曼在中國(guó)獲得的2件新型顯示專利實(shí)施的侵權(quán)行為
2024-03-06 14:26:34249 大話芯片2月29日消息，據(jù)透露，首爾半導(dǎo)體正在對(duì)法國(guó)公司FINELITE和三星半導(dǎo)體提起有機(jī)發(fā)光二極管（LED）專利侵權(quán)訴訟。
2024-02-29 15:25:31277 
2023年12月，雷曼光電已在深圳中級(jí)人民法院對(duì)兆馳股份旗下多家公司發(fā)起專利侵權(quán)訴訟，兆馳股份未經(jīng)授權(quán)對(duì)雷曼在中國(guó)及海外獲得的2件新型顯示專利實(shí)施了侵權(quán)行為，主要涉及兆馳COB產(chǎn)品系列虛擬像素顯示屏，該產(chǎn)品侵犯了雷曼光電的“像素引擎”顯示技術(shù)的專利權(quán)。
2024-02-27 09:42:40382 N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:18319 
據(jù)了解，這是晶元光電首次對(duì)背光產(chǎn)品發(fā)起的專利侵權(quán)起訴案。亞馬遜因涉嫌未經(jīng)授權(quán)銷售與晶元光電LED專利有所沖突的43寸大小電視機(jī)而面臨起訴。
2024-01-24 09:37:47156 RT-thread IDE是否支持HC32L072，也就是小華半導(dǎo)體的芯片？如果支持，哪位好心人發(fā)的芯片支持包
2024-01-04 15:21:25
在過去 10 年內(nèi)，中國(guó)不僅在半導(dǎo)體小部件（材料、零件、裝備）領(lǐng)域，還在舊型通用半導(dǎo)體和最尖端半導(dǎo)體等領(lǐng)域紛紛獲得了技術(shù)專利。這種專利申請(qǐng)的快速增長(zhǎng)表明中國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的技術(shù)實(shí)力正在迅速增強(qiáng)。
2024-01-02 16:09:39213 韓國(guó)大韓商工會(huì)議所對(duì)全球五大知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織中的半導(dǎo)體專利申請(qǐng)情況進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)，結(jié)果表明，中國(guó)在此方面的申請(qǐng)比賽中已經(jīng)領(lǐng)先，占比自2003年的14%猛增至2022年的71.7%。
2023-12-28 10:51:34279 同時(shí)，Apple還要求聯(lián)邦巡回法院暫緩執(zhí)行該項(xiàng)禁令直至美國(guó)海關(guān)與邊境保護(hù)局就重新設(shè)計(jì)后的AppleWatch是否侵權(quán) Masimo的專利做出決策，且在過渡期內(nèi)，法院完整審理蘋果的申訴。據(jù)悉，該海關(guān)部門將有望于明年1月12日作出這方面的決定。
2023-12-27 09:36:14169 芯片和半導(dǎo)體有什么區(qū)別? 芯片和半導(dǎo)體是信息技術(shù)領(lǐng)域中兩個(gè)重要的概念。在理解它們之前，我們需要首先了解什么是半導(dǎo)體。 半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。在半導(dǎo)體中，電流的傳導(dǎo)主要是由電子和空穴
2023-12-25 14:04:451455 早在2022年9月13日，位于紐約Bronxville的美國(guó)Daedalus Prime LLC已向ITC提交337立案調(diào)查申請(qǐng)，指控侵權(quán)方涉及對(duì)美出口、進(jìn)口及銷售的產(chǎn)品侵犯其具備知識(shí)產(chǎn)權(quán)（注冊(cè)專利號(hào)包括9，831，306、10，319，812、10，700，178、11，251，281）的權(quán)益
2023-12-19 14:12:21193 半導(dǎo)體分為哪幾種類型 怎么判斷p型半導(dǎo)體 p型半導(dǎo)體如何導(dǎo)電? 半導(dǎo)體是一種具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間特性的物質(zhì)，其導(dǎo)電性能可以通過控制雜質(zhì)的加入而改變。半導(dǎo)體可以分為兩種類型：p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體
2023-12-19 14:03:481382 在本系列第二篇文章中，我們主要了解到半導(dǎo)體封裝的作用。這些封裝的形狀和尺寸各異，保護(hù)和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。在這篇文章中，我們將帶您了解半導(dǎo)體封裝的不同分類，包括制造半導(dǎo)體封裝所用材料的類型、半導(dǎo)體封裝的獨(dú)特制造工藝，以及半導(dǎo)體封裝的應(yīng)用案例。
2023-12-14 17:16:52442 
據(jù)了解，在此次訴訟中，Temu 重申了此前提出的指控，指責(zé) SHEIN 在市場(chǎng)上采取了不公平的行為，如大規(guī)模抄襲 Temu 自有的品牌設(shè)計(jì)、侵權(quán)以及濫用其市場(chǎng)支配地位等。
2023-12-14 15:07:13195 n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體之間的主要區(qū)別在于它們的載流子類型和濃度。
2023-12-13 11:12:32803 本征半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體主要由價(jià)電子和空穴組成。在常溫下，自由電子和空穴的數(shù)量很少，因此它的導(dǎo)電能力比較微弱。另外，本征半導(dǎo)體的載流子濃度與溫度密切相關(guān)，具有熱敏、光敏特性。
2023-12-13 11:10:05612 根據(jù)不同的誘因，常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）12月6日，半導(dǎo)體材料領(lǐng)域又一家優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)企業(yè)在科創(chuàng)板成功上市。作為一家半導(dǎo)體材料商，江蘇艾森半導(dǎo)體材料股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：艾森半導(dǎo)體）自2010年成立以來，抓住
2023-12-07 00:11:002226 
該陪審員同意了普度的意見，即電動(dòng)汽車用充電器及其他產(chǎn)品使用的碳化物金屬氧化物半導(dǎo)體電場(chǎng)效果晶體管（mosfet）侵害了高電壓電源應(yīng)用（high power power application）使用的晶體管的專利。
2023-12-06 13:55:23420 該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
【半導(dǎo)體后端工藝：】第一篇了解半導(dǎo)體測(cè)試
2023-11-24 16:11:50484 
該公司成立于2008年，是一家專門生產(chǎn)尖端國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的企業(yè)。到目前為止，包括73項(xiàng)發(fā)明專利權(quán)和國(guó)際專利在內(nèi)，共有165項(xiàng)其他原創(chuàng)專利。
2023-11-24 09:27:12288 大立光于2013年首次在美國(guó)向玉晶光電提起侵權(quán)訴訟，最終在蘋果公司的調(diào)解下，于2016年雙方和解。2022年8月，再次向廈門中級(jí)人民法院起訴玉晶光電及廈門子公司侵犯專利權(quán)利。
2023-11-22 15:00:36478 專利摘要據(jù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成的方法中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括如下：第一夾雜著離子的電路板；位于基板內(nèi)的深谷結(jié)構(gòu)、機(jī)關(guān)和深深的凹槽結(jié)構(gòu)位于上方的雜質(zhì)區(qū)域切斷，位于阻擋摻雜區(qū)上的第一外延層，第一外延層內(nèi)的體區(qū)，至少一部分是所述深谷位于結(jié)構(gòu)的上部。
2023-11-21 15:34:03212 
sk集團(tuán)子公司開發(fā)的專利包括SK Innovation、SK海力士、SK telecom和SK siltron，中小企業(yè)可以免費(fèi)使用。171項(xiàng)專利技術(shù)具體包括公寓的燃料電池系統(tǒng)、基于接口的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)、人流量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)以及拋光晶圓兩面的相關(guān)技術(shù)等。
2023-11-21 14:40:57320 根據(jù)專利摘要，該公開提供屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片測(cè)試方法、裝置、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行直流應(yīng)力試驗(yàn)，得出直流應(yīng)力試驗(yàn)結(jié)果，直流應(yīng)力試驗(yàn)結(jié)果包括第一失效單位的失效通知。
2023-11-17 10:08:03416 
根據(jù)發(fā)明專利要點(diǎn)，該公司提供的一種半導(dǎo)體晶片處理腔室及半導(dǎo)體處理設(shè)備；半導(dǎo)體晶片處理腔室包括腔體、設(shè)置在該腔體內(nèi)可沿豎直方向移動(dòng)的片盒和設(shè)置在腔體內(nèi)的加熱組件，還包括溫度檢測(cè)組件，該溫度檢測(cè)組件的檢測(cè)部為溫度檢測(cè)板
2023-11-15 10:38:31310 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭美光科技提告，指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專利。
2023-11-13 17:24:51547 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場(chǎng)要求的不斷提高，對(duì)于半導(dǎo)體材料的要求也越來越高。因此對(duì)于半導(dǎo)體材料的測(cè)試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 站在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的時(shí)代風(fēng)口，來自佛山的科創(chuàng)力量正在崛起，力合科創(chuàng)（佛山）科技園投資企業(yè)——廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司（下稱“匯芯半導(dǎo)體”）就是其中一個(gè)代表。
2023-11-10 09:58:50459 據(jù)專利摘要本公開涉及一種延遲電路及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，所述延遲電路包括溫度控制模塊補(bǔ)償及延時(shí)模塊、溫度補(bǔ)償控制模塊根據(jù)接收到的控制信號(hào)初期，實(shí)時(shí)環(huán)境溫度，溫度系數(shù)補(bǔ)償信號(hào)及溫度系數(shù)，以便生成信號(hào)控制目標(biāo)溫度控制信號(hào)，給予補(bǔ)償。
2023-11-09 09:50:43262 
功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件，主要用作電路和系統(tǒng)中的開關(guān)或整流器。如今，功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類活動(dòng)的各個(gè)行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體，電動(dòng)汽車包括功率半導(dǎo)體，飛機(jī)和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體。
2023-11-07 10:54:05459 
諾基亞狀告亞馬遜和惠普視頻流媒體專利侵權(quán) 10月31日諾基亞在美國(guó)特拉華州聯(lián)邦地區(qū)法院提起訴訟，諾基亞認(rèn)為亞馬遜和惠普侵權(quán)了多項(xiàng)視頻流媒體相關(guān)的技術(shù)專利；涉及視頻壓縮、內(nèi)容傳輸和內(nèi)容推薦等。諾基亞
2023-11-01 16:33:01304 根據(jù)專利摘要，該申請(qǐng)涉及提高三維存儲(chǔ)器存儲(chǔ)密度的半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域。這個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的外部層沉積層、電容器、第一次接觸柱子及首家信號(hào)線組成，外圍堆疊層包括層疊設(shè)置的多個(gè)膜層對(duì)，膜層對(duì)第一個(gè)防止介質(zhì)層和柵極層，包括各雙膜形成多個(gè)臺(tái)階。
2023-10-30 11:32:24540 
盡管知識(shí)產(chǎn)權(quán)被強(qiáng)調(diào)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一個(gè)重要因素令人鼓舞，但在我們看來，《國(guó)家半導(dǎo)體戰(zhàn)略》的作者似乎并沒有認(rèn)識(shí)到整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所產(chǎn)生的知識(shí)產(chǎn)權(quán)的全部潛力。
2023-10-27 14:29:03388 首爾半導(dǎo)體與美國(guó)Silicon Core簽署Micro-LED專利許可協(xié)議。據(jù)推測(cè)，該合同的目的是加強(qiáng)使用Micro LED的虛擬生產(chǎn)業(yè)務(wù)。
2023-10-23 09:19:24577 根據(jù)專利摘要，該實(shí)用新型公開了半導(dǎo)體電力配件的單元結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體電力配件。上述細(xì)胞結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電類型的移動(dòng)區(qū)域有相對(duì)設(shè)定的第一表面和第二表面。第二導(dǎo)電類型的第一混入?yún)^(qū)形成于漂流區(qū)的第一表面。第一導(dǎo)電型的源區(qū)是第二導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)在遠(yuǎn)離漂移區(qū)的表面形成。
2023-10-20 10:13:28379 
瓦爾塔（varta microbattery gmbh， valta）于2021年10月向美國(guó)德克薩斯州東部地區(qū)聯(lián)邦法院提起專利侵權(quán)訴訟。據(jù)此，億緯鋰能向美國(guó)專利商標(biāo)局專利審判及上訴委員會(huì)提出了該專利無效申請(qǐng)。
2023-10-20 10:08:06378 功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21878 
專利據(jù)概括，體現(xiàn)了公開的控制方法，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，如電子裝置，均提供三個(gè)測(cè)試模式對(duì)數(shù)據(jù)掩碼引腳的阻抗被提供的控制戰(zhàn)略，均三個(gè)測(cè)試模式中的數(shù)據(jù)掩碼引腳可以被定義的。
2023-10-13 09:40:54160 
近日據(jù)知情人士透露，領(lǐng)先的環(huán)境與流體傳感專家睿感（ScioSense）旗下睿 感（濟(jì)南）半導(dǎo)體有限公司向杭州瑞盟科技股份有限公司等四家公司發(fā)起知識(shí)產(chǎn)權(quán)侵害訴訟，控告其面向超聲水表/氣表生產(chǎn)制造
2023-10-13 09:34:12320 一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專為以下測(cè)試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
一、半導(dǎo)體有關(guān)概念 1、半導(dǎo)體 半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種物體。它內(nèi)部運(yùn)載電荷的粒子有電子載流子(帶負(fù)電荷的自由電子)和空穴載流子(帶正電荷的空穴)。硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物
2023-09-26 11:00:331126 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
美光公司轉(zhuǎn)讓給road star的專利是nand和存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體技術(shù)。美光公司自2020年以后還沒有交出過如此多的專利。此次與美光公司的交易也是lodestar首次專利轉(zhuǎn)讓。
2023-09-21 11:49:37718 在n型半導(dǎo)體中什么是多數(shù)載流子？? 在半導(dǎo)體物理學(xué)領(lǐng)域中，多數(shù)載流子（Majority carrier）是指在半導(dǎo)體材料中數(shù)量最多的帶電粒子。在n型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子是負(fù)電子，在p型半導(dǎo)體中，多數(shù)
2023-09-19 15:57:042480 介紹了一種以小型PLC為控制核心的大功率半導(dǎo)體激光治療儀。該治療儀采用單管激光器光纖耦合技術(shù)設(shè)計(jì)了波長(zhǎng)為808rim、輸出功率30W 的激光器模塊，采用恒流充電技術(shù)設(shè)計(jì)了高效激光器驅(qū)動(dòng)電路，整機(jī)具有散熱好、低功耗和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-19 08:23:52
根據(jù)專利摘要，本申請(qǐng)?zhí)峁┤缦略u(píng)價(jià)半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的方法及裝置：評(píng)價(jià)半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的方法是：提供1個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備，半導(dǎo)體設(shè)備至少包括1個(gè)制造單元。半導(dǎo)體設(shè)備獲得按順序生產(chǎn)多個(gè)晶圓的生產(chǎn)參數(shù)
2023-09-12 09:39:30276 
▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于晶圓處理設(shè)備和半導(dǎo)體制造設(shè)備的。晶圓處理設(shè)備由：由支持晶圓構(gòu)成的晶圓支持部件，光源排列位于晶圓的支持方向，適合對(duì)晶圓進(jìn)行光輻射加熱。光源陣列至少使晶圓半徑方向上的所有光點(diǎn)都近而不重疊
2023-09-08 09:58:29544 
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
隨著中國(guó)押注于開源架構(gòu)，促進(jìn)其實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期追求的半導(dǎo)體自給自足的目標(biāo)，中國(guó)一批領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)公司成立了RISC-V專利保護(hù)聯(lián)盟。
2023-08-31 15:29:29612 半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的重要特征? 半導(dǎo)體和導(dǎo)體是電子領(lǐng)域中的兩個(gè)重要概念，它們雖然有些相似，但是在性質(zhì)、應(yīng)用和制造過程等方面都有重要的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體與導(dǎo)體的重要特征，以及它們之間的區(qū)別
2023-08-27 15:55:122661 本實(shí)驗(yàn)的目的是使用ARM KEIL MDK工具包向您介紹恩智浦Cortex?-M33處理器系列，該工具包采用μVision?集成開發(fā)環(huán)境。
在本教程結(jié)束時(shí)，您將自信地使用恩智浦處理器和Keil
2023-08-24 07:46:51
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031978 
優(yōu)恩半導(dǎo)體05D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。最大峰值浪涌電流可達(dá)0.8 ka (8/20 μs脈沖)，可防止間接雷擊干擾、系統(tǒng)
2023-07-12 17:33:26
優(yōu)恩半導(dǎo)體07D-BC系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。最大峰值浪涌電流可達(dá)1.75ka (8/20 μs脈沖)，以防止高峰值浪涌
2023-07-12 15:34:13
優(yōu)恩半導(dǎo)體10D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。最大峰值浪涌電流可達(dá)3.5ka (8/20 μs脈沖)，以防止高峰值浪涌，包括間接
2023-07-12 15:29:27
優(yōu)恩半導(dǎo)體10D-EC系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。最大峰值浪涌電流可達(dá)3.5ka (8/20 μs脈沖)，以防止高峰值浪涌，包括
2023-07-12 15:24:49
優(yōu)恩半導(dǎo)體14D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。最大峰值浪涌電流可達(dá)6ka (8/20 μs脈沖)，以防止高峰值浪涌，包括間接雷擊
2023-07-12 14:41:14
優(yōu)恩半導(dǎo)體14DSC系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。最大峰值浪涌電流可達(dá)6ka (8/20 μs脈沖)，以防止高峰值浪涌，包括間接
2023-07-12 14:31:06
優(yōu)恩半導(dǎo)體20D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案，在這種小圓盤中提供比以往更高的浪涌額定值，極限峰值浪涌電流額定值可達(dá)10ka (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接
2023-07-12 14:19:50
簡(jiǎn)介：蘇州鐳拓激光科技有限公司智能化一站式激光設(shè)備供應(yīng)商，多款高精度塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī)，咨詢塑料激光焊接機(jī)多少錢，歡迎聯(lián)系蘇州鐳拓激光！產(chǎn)品描述：品名：塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī)品牌：鐳拓
2023-07-06 16:24:04
徐州金沙江半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱金沙江半導(dǎo)體）據(jù)官方消息，公司在2021年被設(shè)立，項(xiàng)目發(fā)起人氮化鎵（的）領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，氮化鎵功率器件及其新應(yīng)用為主力產(chǎn)品，正在構(gòu)建新型的idm平臺(tái)。
2023-06-30 10:31:021283 
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
優(yōu)恩半導(dǎo)體20DYC系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。極限峰值浪涌電流額定值可達(dá)10KA (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接雷擊
2023-06-14 11:34:37
優(yōu)恩半導(dǎo)體32D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。極限峰值浪涌電流額定值可達(dá)30ka (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接雷擊干擾
2023-06-14 10:52:47
優(yōu)恩半導(dǎo)體34S系列瞬態(tài)浪涌抑制器是工業(yè)高能量金屬氧化物壓敏電阻(MOVs)。它們?cè)O(shè)計(jì)用于在建筑物的室外和服務(wù)入口環(huán)境(配電板)中提供二次浪涌保護(hù)，也用于石油鉆探，采礦和運(yùn)輸領(lǐng)域的電機(jī)控制和電源
2023-06-14 10:44:32
優(yōu)恩半導(dǎo)體40D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。極限 峰值浪涌電流額定值可達(dá)30ka (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接雷擊干擾
2023-06-14 10:39:23
半導(dǎo)體冷凍治療儀利用半導(dǎo)體制冷組件產(chǎn)生的低溫來治療疾病，是近年來發(fā)展較快的物理治療設(shè)備。它具有溫控精確、功耗低、體積小等優(yōu)點(diǎn)，在康復(fù)治療領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。半導(dǎo)體冷凍治療儀包括治療儀本體、半導(dǎo)體
2023-06-12 09:29:18699 
根據(jù)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來看，目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下，定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來長(zhǎng)期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461673 
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226166 
試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的？
2023-04-23 11:27:04
全自動(dòng)半導(dǎo)體激光COS測(cè)試機(jī)TC 1000 COS（chip on submount）是主流的半導(dǎo)體激光器封裝形式之一，對(duì)COS進(jìn)行全功能的測(cè)試必不可少
2023-04-13 16:28:40
恩智浦半導(dǎo)體公司 恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。 [1-2] 恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。 [3] 2015
2023-03-27 14:32:00708
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