負(fù)責(zé)監(jiān)管藍(lán)牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會(huì)藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場(chǎng)研究報(bào)告 《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種新型藍(lán)牙物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備》，深入分析了這種新型物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。
2024-03-11 15:08:54 284 濕電子化學(xué) 品屬于電子化學(xué) 品領(lǐng)域的一個(gè)分支，是微電子、光電子濕法 工藝制程（主要包括濕法 蝕刻 、清洗、顯影、互聯(lián)等）中使用的各種液體化工材料，主體成分純度大于99.99%，雜質(zhì)顆粒粒徑低于 0.5
2024-03-08 13:56:03 239 該環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)研究報(bào)告 預(yù)測(cè)了物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展演變和市場(chǎng)增長(zhǎng)趨勢(shì) ? 北京， 2024 年 3 月 6 日 ——負(fù)責(zé)監(jiān)管藍(lán)牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會(huì)藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場(chǎng)研究報(bào)告 《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種
2024-03-06 11:07:24 87 根據(jù)已公開的研究報(bào)告 ，東京電子的新式蝕刻 機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻 的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻 工作。此外，設(shè)備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22 109 蝕刻 時(shí)間和過氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究 的目的是確定蝕刻 ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻 ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45 306 在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機(jī)械磨削、化學(xué) 機(jī)械研磨、濕法 蝕刻 和等離子體干法化學(xué) 蝕刻 。
2024-01-26 09:59:27 547 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化 鎵 (GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
氮化 物半導(dǎo)體具有寬禁帶、可調(diào)，高光電轉(zhuǎn)化效率等優(yōu)點(diǎn)，在紫外 傳感器，功率器件，射頻電子器件，LED照明、顯示、深紫外 殺菌消毒、激光器、存儲(chǔ)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，被認(rèn)為是有前途的發(fā)光材料。
2024-01-15 18:18:56 672 通過化學(xué) 鍍鎳沉積增強(qiáng) 納米多孔硅光電陰極的光電化學(xué) 性能 可再生能源，特別是太陽能，是我們脫碳努力的關(guān)鍵。本文研究 了納米多孔硅及其Ni涂層雜化體系的光電化學(xué) 行為。這些方法包括將Ni涂層應(yīng)用于NPSi
2024-01-12 17:06:13 112
請(qǐng)問半橋上管氮化 鎵 這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅(qū)動(dòng)氮化 鎵 半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動(dòng)方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動(dòng)電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因?yàn)轵?qū)動(dòng)芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
氮化 鎵是一種化合物，化學(xué) 式為GaN，由鎵（Ga）和氮（N）兩種元素組成。它是一種化合物晶體，由原子晶體構(gòu)成。 氮化 鎵具有堅(jiān)硬的晶體結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理化學(xué) 性質(zhì)，是一種重要的半導(dǎo)體材料。它具有寬帶
2024-01-10 10:23:01 1040 氮化 鎵是一種無機(jī)化合物，化學(xué) 式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化 鎵具有許多重要的物理和化學(xué) 性質(zhì)，使其在科學(xué)研究 和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化 鎵是一種具有低能隙的半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)屬于
2024-01-10 10:05:09 346 氮化 鎵是第三代半導(dǎo)體的代表材料。研發(fā)之初是用于制造出顏色從紅色到紫外 線的發(fā)光二極管，1990年起開始被廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管上，目前被廣泛應(yīng)用于功率器件、集成電路、光電子、軍工電子、通訊等領(lǐng)域
2023-12-26 14:38:54 270 轉(zhuǎn)自：存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 2023年11月30日， 存 儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究 院聯(lián)合發(fā)布《分布式融合存儲(chǔ)研究報(bào)告 （2023）》，詳細(xì)闡釋分布式融合存儲(chǔ)概念和技術(shù)要求
2023-12-21 18:05:01 270 世界各國(guó)不僅把6G作為構(gòu)筑未來數(shù)字經(jīng)濟(jì)與社會(huì)發(fā)展的重要基石，也將其視為國(guó)家間前沿科技競(jìng)爭(zhēng)的制高點(diǎn)。全球主要國(guó)家的多。個(gè)研究 機(jī)構(gòu)和聯(lián)盟組織相繼發(fā)布了6G總體愿景、技術(shù)趨勢(shì)、網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)等方面的白皮書和研究報(bào)告 ，陳述各國(guó)發(fā)展6G的宏偉愿景與技術(shù)思考。
2023-12-19 11:23:36 151 Sumitomo 是全球最大的射頻應(yīng)用氮化 鎵 (GaN) 器件供應(yīng)商之一。住友氮化 鎵 器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電和其他應(yīng)用。 功率氮化 鎵 -用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如AlGaN，憑借其物理和化學(xué) 穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24 294 GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化 物已經(jīng)成功地用于實(shí)現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué) 和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法 蝕刻 是困難的，并且導(dǎo)致低的蝕刻 速率和各向同性的蝕刻 輪廓。
2023-12-05 14:00:22 220 GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究 。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻 方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39 259 存儲(chǔ)研究報(bào)告 》（以下簡(jiǎn)稱：《報(bào)告 》）正式發(fā)布?！?b class="flag-6" style="color: red">報(bào)告》首次系統(tǒng)梳理并深入分析了分布式融合存儲(chǔ)的概念、技術(shù)架構(gòu)和應(yīng)用場(chǎng)景，為融合存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供參考和指引。 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究 院領(lǐng)導(dǎo)表示，“數(shù)據(jù)成為重要的生產(chǎn)要素，數(shù)據(jù)
2023-11-30 16:25:01 172 由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化 物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻 已經(jīng)被用于去除III族氮化 物材料中干法蝕刻 引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58 166 濕法 刻蝕由于成本低、操作簡(jiǎn)單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17 452 目前，大多數(shù)III族氮化 物的加工都是通過干法等離子體蝕刻 完成的。干法蝕刻 有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻 側(cè)壁。干法蝕刻 產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30 241 氮化 鎵是什么材料提取的 氮化 鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué) 性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化 鎵的提取過程
2023-11-24 11:15:20 719 近日，日本研究 研究 團(tuán)隊(duì)制造出一種基于AlGaN的垂直深紫外 發(fā)光半導(dǎo)體激光設(shè)備，有望應(yīng)用于激光加工、生物技術(shù)和醫(yī)學(xué)領(lǐng)域。
2023-11-21 18:27:22 606 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《工業(yè)控制系統(tǒng)及其安全性研究報(bào)告 .pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-16 14:29:13 0 蝕刻 設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻 液都會(huì)對(duì)蝕刻 因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué) 成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻 設(shè)備的結(jié)構(gòu)問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10 217 GaN材料的研究 與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究 的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性：氮化 鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)
2023-11-09 11:43:53 434 艾瑞咨詢：2023年中國(guó)家用智能照明行業(yè)研究報(bào)告
2023-11-07 16:37:39 0 、H1N1流感病毒、金黃色葡萄球菌的有效殺滅。研究 的發(fā)現(xiàn)對(duì)人類社會(huì)在寒冷條件下使用深紫外 光子消毒具有重要意義。
2023-10-17 15:22:23 878 蝕刻 液的化學(xué) 成分的組成：蝕刻 液的化學(xué) 組分不同，其蝕刻 速率就不相同，蝕刻 系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻 液的蝕刻 系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻 液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻 液可以達(dá)到幾乎沒有側(cè)蝕問題，蝕刻 后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35 553 氮化 鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué) 穩(wěn)定性，在室溫下用濕法 化學(xué) 蝕刻 來蝕刻 或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32 244 深紫外 光電探測(cè)器在導(dǎo)彈預(yù)警、臭氧層監(jiān)測(cè)、火焰探測(cè)等軍事和民用領(lǐng)域均有著廣泛的應(yīng)用。
2023-10-09 18:16:12 383 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外 線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化 物的濕法 化學(xué) 蝕刻 結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻 工藝。干法蝕刻 開發(fā)一開始集中于臺(tái)面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻 速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻 。
2023-10-07 15:43:56 319 報(bào)道，近日，波蘭華沙理工大學(xué)（Warsaw University of Technology）的研究 人員開發(fā)了一種增強(qiáng) 型光譜電化學(xué) 裝置，其中，基于雙域（光學(xué)和電化學(xué) ）光纖的傳感器直接用作工作電極，同時(shí)像光譜電化學(xué) 一樣單獨(dú)測(cè)量分析物的光學(xué)特性。該傳感器采
2023-09-26 09:11:38 645 香港上市公司ESG表現(xiàn)積極 ?但仍需持續(xù)改進(jìn) 香港2023年9月20日 /美通社/ -- 方圓企業(yè)服務(wù)繼2021年以來，于2023年9月19日，連續(xù)第三年發(fā)布ESG 研究報(bào)告 。通過對(duì)上市公司ESG
2023-09-21 03:36:58 265 近日，中國(guó)信息通信研究 院在“2023 SecGo云和軟件安全大會(huì)”上發(fā)布了 《零信任發(fā)展研究報(bào)告 （2023年）》 （以下簡(jiǎn)稱“報(bào)告 ”），全面介紹了在數(shù)字化轉(zhuǎn)型深化背景下，零信任如何解決企業(yè)面臨的安全
2023-09-06 10:10:01 488 為慶祝河北工業(yè)大學(xué)校慶120周年，《紅外與激光工程》聯(lián)合河北工業(yè)大學(xué)共同出版“河北工業(yè)大學(xué)校慶?？埃匮?qǐng)張紫輝教授團(tuán)隊(duì)撰寫“AlGaN基深紫外 微型發(fā)光二極管的研究 進(jìn)展” 文章，總結(jié)了深紫外
2023-09-05 11:16:48 337 實(shí)現(xiàn)深紫外 光通信的一個(gè)關(guān)鍵器件是深紫外 光源。早期深紫外 光源利用高壓汞燈實(shí)現(xiàn)，但汞燈的調(diào)制帶寬非常小，這嚴(yán)重影響了深紫 光通信的傳輸速率。
2023-09-05 11:13:00 484 濕法 腐蝕在半導(dǎo)體工藝?yán)锩嬲加泻苤匾囊粔K。不懂化學(xué) 的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:04 1705 氮化 鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化 鎵 （GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
半導(dǎo)體蝕刻 設(shè)備是半導(dǎo)體製造過程中使用的設(shè)備。 化學(xué) 溶液通過將晶片浸入化學(xué) 溶液（蝕刻 劑）中來選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域，化學(xué) 溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58 319 用于深紫外 線傳感應(yīng)用的GaN型紫外 線傳感器。
與Si型紫外 線傳感器相比，新產(chǎn)品對(duì)UV-B和UV-C深紫外 線具有更高的靈敏度。
通過使用GaN,產(chǎn)品的靈敏度是Si型UV傳感器的三倍。
2023-08-11 11:50:40 261 的影響及UV特殊的生物學(xué)和化學(xué) 效應(yīng)，因此倍受氣象、工業(yè)、建筑、醫(yī)學(xué)方面的重視，廣泛應(yīng)用于暴曬引起的紅斑劑量、綜合環(huán)境生態(tài)效應(yīng)、氣候變化的研究 及紫外 線監(jiān)測(cè)和預(yù)報(bào)。
2023-08-07 14:06:03 91 一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外 光探測(cè)器。日盲紫外 探測(cè)器對(duì)可見光具有很低的響應(yīng)，在環(huán)境監(jiān)測(cè)、太陽輻射測(cè)量、航天科學(xué)、太陽能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用。由于紫外 光在很多領(lǐng)域中具有重要的研究 和應(yīng)用價(jià)值，日盲紫外 探測(cè)器的發(fā)展對(duì)于提高測(cè)量的精確性和可靠性具有重要意義。
2023-08-04 11:21:08 762 佐思汽研發(fā)布了《2023年汽車車內(nèi)通信及網(wǎng)絡(luò)接口芯片行業(yè)研究報(bào)告 》。 根據(jù)通信連接形態(tài)的不同，汽車通信應(yīng)用分為無線通信和有線通信。
2023-08-02 10:56:43 1401 預(yù)登記展會(huì)領(lǐng)取門票還可以獲得由AIoT星圖研究 院出品2023行業(yè)報(bào)告 之《蜂窩物聯(lián)網(wǎng)系列之LTE Cat.1市場(chǎng)跟蹤調(diào)研報(bào)告 》、《中國(guó)光伏物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告 》、《2023中國(guó)智慧工地行業(yè)市場(chǎng)研究報(bào)告
2023-07-31 11:14:32 525 自己的模板
研究 報(bào)告 《 容、感、阻被動(dòng)元器件市場(chǎng)
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2023-07-17 17:15:04 246 。照明系統(tǒng)是光刻機(jī)的重要組成部分，其主要作用是提供高均勻性照明、控制曝光劑量和實(shí)現(xiàn)離軸照明，以提高光刻分辨率和增大焦深。論文以深紫外 光刻照明系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)為研究 方向，對(duì)照明系統(tǒng)關(guān)鍵單元進(jìn)行了光學(xué)設(shè)計(jì)與仿真研究 。
2023-07-17 11:02:38 592 年7月6日 作為致力于助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進(jìn)數(shù)字解決方案提供商，斑馬技術(shù)公司（納斯達(dá)克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報(bào)告 》。報(bào)告 結(jié)果表明，汽車制造商正面對(duì)著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費(fèi)者對(duì)整體制造過
2023-07-07 16:07:24 321 自己的模板
研究 報(bào)告 《 虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場(chǎng)前景
報(bào)告 》，如需領(lǐng)取
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2023-07-03 17:25:02 283 隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻 變得更有必要。為了防止蝕刻 掩模下的橫向蝕刻 ，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻 的研究
2023-06-27 13:24:11 318 CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué) 性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻 時(shí)，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻 速率以及橫向或分層膜的蝕刻 速率降低，濕法 化學(xué) 也會(huì)有問題。
2023-06-26 13:32:44 1053 氮化 鎵 (GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于 氮化 鎵 半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于 氮化 鎵 技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化 鎵 (GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化 鎵 器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
氮化 鎵 (GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化 鎵 電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化 鎵 )的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導(dǎo)體(氮化 鎵 )的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化 鎵 )
2023-06-19 08:36:25
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化 鎵 充電器的制造商，公司具有標(biāo)準(zhǔn)無塵生產(chǎn)車間，為客戶進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化 鎵 充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化 鎵 功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化 鎵 器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化 鎵 (GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化 鎵 的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化 鎵 擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵 ，并以他祖國(guó)法國(guó)的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化 鎵 的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
% 化學(xué) 物及能源損耗，此外還能，再加上節(jié)省超過 50% 的包裝材料，那氮化 鎵 的環(huán)保優(yōu)勢(shì)，將遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
氮化 鎵 ，由鎵 （原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化 鎵 的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化 鎵 為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化 鎵 的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化 鎵 器件提升到的 200kHz。
氮化 鎵 電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化 鎵 電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化 鎵 功率芯片的學(xué)術(shù)研究 ，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化 鎵 功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
氮化 鎵 (GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化 鎵 芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化 鎵 功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
研究報(bào)告 1.0版》，總計(jì)192頁，分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評(píng)測(cè)篇、職業(yè)篇、風(fēng)險(xiǎn)篇、哲理篇、未來篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個(gè)篇章，對(duì)AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)進(jìn)行了詳盡研究 和分析
2023-06-09 10:32:36 550 發(fā)展研究報(bào)告 1.0版》，總計(jì)192頁，分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評(píng)測(cè)篇、職業(yè)篇、風(fēng)險(xiǎn)篇、哲理篇、未來篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個(gè)篇章，對(duì)AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)進(jìn)行了詳盡研究 和分析。 以下為報(bào)告 內(nèi)容 受篇幅限制，以上僅為部分報(bào)告 預(yù)覽 后臺(tái)回復(fù)【 AIG
2023-06-04 16:15:01 503 等離子體蝕刻 是氮化 鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻 特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化 鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究 中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究 蝕刻 過程中蝕刻 速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54 452 納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻 步驟包括虛擬柵極蝕刻 、各向異性柱蝕刻 、各向同性間隔蝕刻 和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻 是各向異性的，并使用氟化化學(xué) 。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻 （壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:11 1071 氮化 鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化 鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化 鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué) 鍵是高度離子化的氮化 鎵化學(xué) 鍵，該化學(xué) 鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-05-26 10:10:41 758 導(dǎo)電材料Ti3C2Tx MXene 被用來作為氮化 鎵高電子遷移率晶體管的柵電極，MXene和氮化 鎵之間形成沒有直接化學(xué) 鍵的范德華接觸。氮化 鎵高電子遷移率晶體管的柵極控制能力得到顯著增強(qiáng) ，亞閾值擺幅61 mV/dec接近熱力學(xué)極限，開關(guān)電流比可以達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的~1013。
2023-05-25 16:11:29 599 微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨(dú)特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外 光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí)，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時(shí)的，并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學(xué) 蝕刻 硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51 846 蝕刻 可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻 速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻 率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來維護(hù)蝕刻 化學(xué) ，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31 575 蝕刻 是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法 蝕刻 和干法蝕刻 ，濕法 蝕刻 進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻 。硅濕法 各向異性蝕刻 廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12 700 減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué) 機(jī)械平面化，(3)濕法 蝕刻 (4)等離子體干法化學(xué) 蝕刻 (ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻 。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué) 漿液結(jié)合起來與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻 則使用化學(xué) 物質(zhì)來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06 979 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：?jiǎn)尉У?b class="flag-6" style="color: red">濕法蝕刻 和紅外吸收 編號(hào)：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法 腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究 了物理氣相色譜法生長(zhǎng)AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00 118 【摘要】 在半導(dǎo)體濕法 工藝中，后道清洗因使用有機(jī)藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法 清洗后道工藝幾種常用藥液及設(shè)備進(jìn)行對(duì)比研究 ，論述不同藥液與機(jī)臺(tái)的清洗原理，清洗特點(diǎn)與清洗局限性。【關(guān)鍵詞
2023-04-20 11:45:00 823 自己的模板
研究 報(bào)告 《 汽車MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析
報(bào)告 》，如需領(lǐng)取
報(bào)告 ，請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào)，后臺(tái)回復(fù) ? MCU? 即可領(lǐng)??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來源。如需入群交流 ，請(qǐng)?zhí)砑?/div>
2023-04-12 15:10:02 390 干法蝕刻 與濕法 蝕刻 之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時(shí)必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻 劑來制作電子芯片，是液體（濕法 蝕刻 ）還是氣體（干法蝕刻 ）
2023-04-12 14:54:33 1004 濕法 蝕刻 工藝的原理是使用化學(xué) 溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10 453 全國(guó)普通高校大學(xué)生計(jì)算機(jī)類競(jìng)賽研究報(bào)告 鏈接：https://mp.weixin.qq.com/s/bdcp-wGqvXY_8DPzn8dhKw各高校在計(jì)算機(jī)類競(jìng)賽中的表現(xiàn)情況是評(píng)估相關(guān)高校計(jì)算機(jī)
2023-04-10 10:16:15
半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會(huì)排放有害廢氣。對(duì)于使用非常活潑的氣體的化學(xué) 氣相沉積或干法蝕刻 ，所謂的靠近源頭的廢氣使用點(diǎn)處理是常見的做法。相比之下，對(duì)于濕法 化學(xué) 工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認(rèn)
2023-04-06 09:26:48 408 濟(jì)南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日，國(guó)際數(shù)據(jù)公司（IDC）發(fā)布了《中國(guó)工業(yè)邊緣市場(chǎng)分析》研究報(bào)告 （以下簡(jiǎn)稱《報(bào)告 》）。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機(jī)器視覺等特色解決方案布局，入選工業(yè)邊緣
2023-04-01 08:03:30 540 清洗過程在半導(dǎo)體制造過程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機(jī)、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機(jī)物三類。
2023-03-31 10:56:19 314 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué) 反應(yīng)的過程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻 進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07 886 ，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化 鎵 功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化 鎵 功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46
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